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目前，美国摩托罗拉正在进行CMOS晶体管电路的新一代集成电路的高速技术方面的研究，主要集中在两个方面（1）使用光子结晶（photonic crystal）的晶体管（2）用纳米管、电线布线。摩托罗拉前副总裁兼半导体中心首席技术官、责任美国维尔阿诺法大学教授的巴里·约翰森（Barry Johnson，照片1）于2003年6月23 日在“国际科学研讨会（Internal Scientific Symposium）”上做了上述发言，此次会议是为纪念德国威凯化学品公司（Wacker-Chemie）研究活动开始100年而在德国慕尼黑举办的。 约翰森表示，即便是现有CMOS晶体管，使用 SOI、应变硅（Strained Silicon）和2门、3门晶体管等技术，仍能继续以年均17%的幅度提高其工作速度。这就是栅长为10nm～65nm的纳米级CMOS晶体管。 仅靠半导体制造的深次微米技术不断发展来提高CMOS晶体管的工作速度，今后将会逐渐接近极限，因此必须开发出取代CMOS晶体管的新型集成电路。新一代集成电路的需求将出现在2010年以后，到时就需要使用真正的纳米技术。 比如，摩托罗拉目前正在研究通过使用光子结晶控制发光来实现晶体管功能。发光部分约为1nm～10nm左右，以32位/64位等为单位同时控制其发光。使用光纤与外部进行信号传导。另外，还在进行在集成电路内部布线中使用纳米管或纳米电线的研究（见照片）。 不过，约翰森此次公布的光子结晶、纳米管和纳米电线的范例“仅供参考”（约翰森），他强调说尚未达到实用水平。