EEPW论坛

以下是专题讨论《模拟/混合信号电路设计中的难点及解决方案》精彩问答集锦。

问：据说40nm工艺在MOS管的结构上都与之前的不一样，那么在仿真时需要多注意些什么呢？candence针对40nm有没有新的解决方案呢？

答：40 nm 工艺是从45nm 过来的shrink version。在仿真器上不会有不一样的地方, 但是使用者可能会感到simulation结果会有不一样的结果。 这不是BSIM model的问题 也不是仿真器的问题 而是deep submicro下phycial effect 越来越多的问题。

问：在热敏电阻原有的条件不去改变的情况下，如何改变热敏电阻的值？

答：按等效方法改变一个热敏电阻的阻值和温度系数都是可以的，最简单的只要并联（或串联）一个固定电阻即可。具体的等效阻值、温度系数的参数计算，可按串（或并）联推导一下就知道了。

另外，选择串联或并联或混联（电阻网络），可视具体情况和要求，采取不同的对应方法解决之。

问：我刚刚接触用PC104的AD扩展板采集并转换模拟信号。现在遇到一个问题，就是在等待AD转换完成所需要的时间前后不一致，我用了一个40MS的判断语句，如果等待时间超过了就显示转换失败。运行的结果是第一次转换成功，第二次失败，第三次成功，四次失败……这样间隔下去。我不知道是哪里出了问题。

答：从现象看，应该是40MS的转换等待时间不够，如果成功失败都是交叉间隔的话，判断转换的时间加长到80MS或一个适当的时间应该会有改善。使用者对AD转换的实时性要求较高的话，建议采用中断的方式，这样不会丢数据。

问：在做混合信号电路设计时，模拟电路和数字电路分别设计好了，但不清楚如何把模拟电路和数字电路放在一起仿真？数字电路是编Verilog程序后自动综合出来的,不是手工画的,这样的混合仿真有方法解决吗?

答：是的, 这样的仿真是可以解决的。在 Virtuoso的Composer里 你可以直接读进一个Verilog数字电路的网表 (Netlist), 在读进来的同时亦可产生一个 symbol。但最主要的是 你需要有AMS Designer的 tool。因为AMS Designer结合了Analog simulator (Spectre or Ultrasim) and Digital simulator (NC-sim)。如此，你就可以做混合仿真。

问：在模拟/混合信号IC设计中，EDA市场前景似乎一片大好~~ 正确地选用合适的EDA工具可以有效地提升设计的可预见性，那么，要如何正确的选择好工具呢？

答：这要看应用层面，当我们在用 90nm、65nm 甚至45nm时有几个项目 值得我们注意：

1. Physical effect：如 CMP, model based, STI effect, Well proximity effect....

2. 由设计应用带来的困扰: 在RF 设计中. Skin effect, substrate noise, eddy current effect。

3. 设计流程是否顺畅: RC backannotate 的值 是否可回到 schematic for debug and so on。

4. 现在的digital library 很不准 如何有效的 Monte Carlo for SSTA。

问：在进行混合信号PCB设计时，如何有效降低数字信号与模拟信号之间的相互干扰？必须要将PCB分区为独立的模拟部分和数字部分吗？分割地的方法还有效吗？

答：主要是要处理好数字地和模拟地。 对于信号速率大与1M的信号。 最好不要进行一点接地， 而应进行多点接地。 分割的方法， 主要是对与低于1M 和没有独立GND和电源的PCB板。 对于多点接地的PCB板， 还有注意的是把模拟部分放到板子的一边或一个角上， 主要是要防止数字信号对模拟地的影响。 不能让数字信号通过模拟地的上面或下面，这样才能保持模拟地的稳定。 降低数字信号对模拟信号之间的干扰。 当然对于A/D， D/A的PCB板，。因为这时电位基准特别重要 。要根据A/D，D/A的芯片来决定是否采用一点和多点接地。如果芯片内已经模拟地， 数字地接到一起， 在PCB板上就不需一点接地了。需要采用一点接地的， 也要在A/D，D/A芯片下进行。

问：深亚微米环境下，怎么估算寄生负载？

答：在深亚微米下确实很难掌握这些新的Physical effect的数据。所以tools才会随时的有更新。你可以让我知道什么样的模型? 例如OPC 对MOS的影响 会有变形的AS AD, PS PD新的参数extractor要根据新的value去重算。所以如果你能提供我较多的信息会更好。