共1条
1/1 1 跳转至页
[讨论]Flash操作问题(老站转)
转自老论坛：Flash操作问题
gao 于 2002/04/15 15:49 加贴在 嵌入式系统论坛 设为精华 删除
aqian
高级工程师
来自：
发表总数：113
查看 短消息 电子邮件 个人主页 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
我用C32对flash进行读写，发现如果向Flash中的地址为Addr的单元写一个数，地址为4000＋Addr的单元也会被写入相同的数，还有8000＋Addr这个单元也是这种情况，我觉的好生奇怪，请问这可能是什么问题？以前碰到过地址短路的问题，那也大不了出现多个地址对应一个单元的现象，可现在却是多个单元对应一个地址，真是想不明白！
我的Flash是AMD29F400B，AMD公司的，如果大侠用过的话，请看看我的程序有什么问题：
/*Write a word-data to the address-specified memory cell*/
unsigned int Write_SingleWord_Flash(unsigned int *DestAddr,unsigned int Data)
{
unsigned int *ptr,i,j,RdData;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write program command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0xA000A0;
/*Write the data to the selected memory cell*/
*DestAddr = Data;
/*Verify the data writen to flash be right or not*/
for(i=0,j=0;i<50;i++){ j++;}
RdData = *DestAddr;
if(RdData == Data){
return(True);
}else{
return(False);
}
}
--------------------------------
天外有天 －没错
山外有山 －没问题
我外有你 －Certainly
你中有我 －哇塞，怎么可能哦？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-22 - 19:45:47 IP: 211.97.*.*
amine
版主
来自：
发表总数：517
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
我觉得还是地址线短路问题,
按你所说, 应该有两根地址线短路, 导致有3个存储单元对应一个地址
如果推测没错的话, 应该是A14, A15短路拉.
Hope this help!
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-24 - 14:19:44 IP: 210.53.*.*
老猫
工程师
来自：
发表总数：28
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
在16KB的位置重复出现同一个东东，前面14根地址线应该没有问题。不知道你是如何确定3个单元的内容相同的？是用别的读写设备还是你的程序运行的那块板子？一般来说，即使地址线短路，对于Flash来说一次写入的东东应该是在一个地方而不是多个地方，但是读取的时候则会从多个地址读出同一个东东。确认一下到底是同时写入了多个地址（？）还是读出的时候由于地址线短路导致高端地址重叠？
--------------------------------
猫眼看天，仅供参考
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-24 - 16:43:16 IP: 211.162.*.*
aqian
高级工程师
来自：
发表总数：113
查看 短消息 电子邮件 个人主页 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
我用的Ti的CCS软件调C32的，存储器的内容是可以在线看的，通过JTAG口仿真的；我看到3个内容同时变的！地址我是从0写道0xFF，都是这样！怪！会不会是Flash有问题？我还块板子看看（这次只作了3块板子），地址线我都测过了，没有出现粘的现象，这点不用怀疑了；别的什么原因我也想不到，没法下手
--------------------------------
天外有天 －没错
山外有山 －没问题
我外有你 －Certainly
你中有我 －哇塞，怎么可能哦？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-24 - 18:19:36 IP: 61.156.*.*
老猫
工程师
来自：
发表总数：28
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
怪哉，用编程器读读看，再确认一下；
用编程器写一写同样的片子，看看是不是会出现同样的现象。
--------------------------------
猫眼看天，仅供参考
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-24 - 19:20:12 IP: 211.162.*.*
wl
工程师
来自：
发表总数：15
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
你的表述太不清楚，让人理解起来很费力。
对于你说：“我还块板子看看（这次只作了3块板子），地址线我都测过了，没有出现粘的现象，这点不用怀疑了”，到底所指哪块板子？
1。通常我们使用了很多AMD公司的该型号flash，像这种大规模生产的东西出问题几率很少。
2。你所说的情况由短路和虚焊引起的可能性是很大的，特别是读，这是手工焊接不可避免的。你可以查查读写门的打开情况。
3。数据不要太对称，55AA虽然用来检测，但要灵活多变。
4。存储器看到的已经不是正确的了，即存储器里的值！=寄存器里的值。
仅供参考。
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-25 - 13:03:01 IP: 202.108.*.*
zhangsifu
工程师
来自：
发表总数：39
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
1.你先将flash擦除一下，再向其中写数据。
2.写入数据后要查询一下DQ7，1时完成，0是忙，只有当DQ7为1时才继续下面的写操作。
3.你检查一下你的地址线和有没有和地短上
--------------------------------
EMBEDDED
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-25 - 13:53:38 IP: 202.200.*.*
aqian
高级工程师
来自：
发表总数：113
查看 短消息 电子邮件 个人主页 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
不好意思，不好意思，由于出现这种怪问题我有点着急，表达起来有点语不达意，各位热心朋友请多多包涵，现在我把问题重新整理一遍如下：
1）我用的这块芯片是AMD公司的Am29F400B，它的容量是4Megabit（4兆位），它可以配置位16位和8位的存储器，这个由管脚BYTE#的电平来决定，我把这个脚拉成高电平以配置16位；两块Am29F400B并起来构成一个32位的Flash，地址线和控制线和C32的链接完全一样，数据线分别接到C32的高16位和低16位上；
2）快板子的地址线没有出现任何短接现象，这个经过测试的；另外我们采用的是贴片机焊接的，一般不会出现虚焊的现象；
3）我对Flash的操作均流程是这样的：
a.先插除整个芯片（通过调用函数Erase_WholeChip()来完成的）
/*Erase all cells in the whole chip */
unsigned int Erase_WholeChip(void)
{
unsigned int *ptr,i;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write tow unlock cycles*/
*ptr =0x0;
*ptr =0x0;
/*Write whole chip erase command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x800080;
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x100010;
/*Verify erasing operation be right or not*/
for(i=0;i0x1FFFF){
i=0;
}
Flag &＝ Write_SingleWord_Flash((unsigned int*)i,i);
i++;
}
发现向地址为i的单元里写数据（由程序可以知道这个数据就是i）的时候，地址为（0x4000＋i）、（0x8000＋i）、（0xC000＋i）的单元也同时被写了数据i；在写到0x4000以前，写函数Write_SingleWord_Flash()返回来的值都是True，写到0x4000的时候就发现返回来的值就不对了，是False；同样，我向地址为i、（0x4000＋i）、（0x8000＋i）、（0xC000＋i）的四个单元中的任何一个单元中写数据的时候，另外3个都发生同样的变化（插除之后）！写的数据完全是随机的，不存在对称不对称的问题；
4）我们公司以前用过Amd公司的flash芯片，不过和这次用的flash芯片的封装不一样，以前的flash没有出现这种情况，我希望这次出现的现象与Amd公司没有关系，否则它们就麻烦罗，呵呵；另外我们开发部以前的工程师都觉得这个现象简直不可思议，呵呵:）顺便说一句，这几片flash都是我们申请的样片，呵呵；
--------------------------------
天外有天 －没错
山外有山 －没问题
我外有你 －Certainly
你中有我 －哇塞，怎么可能哦？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-25 - 18:59:26 IP: 211.97.*.*
老猫
工程师
来自：
发表总数：28
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
用你的程序写完之后有没有用编程器读出来看一下？AMD的这个片子好像没有BGA封装的，拆起来应该不太困难，试试看先^_^
不过从你的描述来看，似乎确实是同时写到不同的位置去了，奇怪。
--------------------------------
猫眼看天，仅供参考
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-25 - 19:13:59 IP: 211.162.*.*
zhangsifu
工程师
来自：
发表总数：39
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
1.
unsigned int Write_SingleWord_Flash(unsigned int *DestAddr,unsigned int Data)
{
unsigned int *ptr,i,j,RdData;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write program command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0xA000A0;
/*Write the data to the selected memory cell*/
*DestAddr = Data;
/*Verify the data writen to flash be right or not*/
for(i=0,j=0;i<50;i++){ j++;} 单步执行，停止到这一句试试
RdData = *DestAddr;
if(RdData == Data){
return(True);
}else{
return(False);
}
}
2.
unsigned int Erase_WholeChip(void)
{
unsigned int *ptr,i;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write tow unlock cycles*/
*ptr =0x0; 去掉试试
*ptr =0x0; 去掉试试
/*Write whole chip erase command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x800080;
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x100010;
/*Verify erasing operation be right or not*/
for(i=0;i if(*(ptr+i)==(unsigned int)0xFFFFFFFF) i++;
}
return(True);
}
3.你可以向地址0x10000中写数据看看有没有类似情况。
--------------------------------
EMBEDDED
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-25 - 21:15:12 IP: 202.200.*.*
aqian
高级工程师
来自：
发表总数：113
查看 短消息 电子邮件 个人主页 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
1.
unsigned int Write_SingleWord_Flash(unsigned int *DestAddr,unsigned int Data)
{
unsigned int *ptr,i,j,RdData;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write program command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0xA000A0;
/*Write the data to the selected memory cell*/
*DestAddr = Data;
/*Verify the data writen to flash be right or not*/
for(i=0,j=0;i<50;i++){ j++;} 单步执行，停止到这一句试试 执行到这里问题就出现了
RdData = *DestAddr;
if(RdData == Data){
return(True);
}else{
return(False);
}
}
2.
unsigned int Erase_WholeChip(void)
{
unsigned int *ptr,i;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write tow unlock cycles*/
*ptr =0x0; 去掉试试 这两句是为了在flash处于低功耗模式的唤醒它用的，
*ptr =0x0; 去掉试试 去掉也可以，不过现象任然存在！
/*Write whole chip erase command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x800080;
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x100010;
/*Verify erasing operation be right or not*/
for(i=0;i if(*(ptr+i)==(unsigned int)0xFFFFFFFF) i++;
}
return(True);
}
3.你可以向地址0x10000中写数据看看有没有类似情况。 有类似的情况发生，即10000h＋i、14000h＋i、18000h＋i、1c000h＋i同时被写入数据；
Edited by - aqian 重新编辑於 2002-03-26 08:36:05
--------------------------------
天外有天 －没错
山外有山 －没问题
我外有你 －Certainly
你中有我 －哇塞，怎么可能哦？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-26 - 08:31:45 IP: 211.97.*.*
wl
工程师
来自：
发表总数：15
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
1。在擦除和写操作命令后加入同步指令，关掉cache。
2。按照zhangsifu所说的加入测试状态位DQ7的指令。
3。用随机数测试，不要对称的测试，看是否有规律。
4。检查设计，看是否读写门同时打开。
5。确认分区大小。
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-26 - 09:24:40 IP: 202.108.*.*
wl
工程师
来自：
发表总数：15
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
我重新看了一下你描述的设计，感觉你的命令序列有问题。
data sheet上的设计不能照搬，因为那是一个片子的情况。
你可以将其仔细考虑，对于该片子，A0,A14最重要，由于你的用两块，所以A15也重要，你仔细考虑一下吧！
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-26 - 09:51:01 IP: 202.108.*.*
zhangsifu
工程师
来自：
发表总数：39
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
你现在可以只对一个flash进行操作，看看是不是和同时操作两个flash有关。
--------------------------------
EMBEDDED
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-26 - 11:47:08 IP: 202.200.*.*
tinyfish
助理工程师
来自：
发表总数：5
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
我做过这个片子的驱动，但没有碰到过这样的问题
看完你的代码觉得有些地方处理得不是很妥当
1. 写之前或者写之后最好加上0xF0这样的reset指令
2. 写/擦完成的判断最好用DQ6/7，不要用时间来定时，因为时间并不精确，我印象中看到的AMD的文档上写的时间都是一个不确定数，单位是ms，差别极大
try it!
不过对于这个问题，我感觉硬件上的原因相当大
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-29 - 13:51:26 IP: 61.48.*.*
wl
工程师
来自：
发表总数：15
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
99%的可能是软件问题，我认为。
对于tinyfish，你所说的只是编程应该注意的，实际上你们都没认真理解。可以再仔细看看手册上的注意事项。尤其是Note4。
不过这应该是BSP或硬件工程师应该给你说清楚的。
你调试完可以告诉大家结果。
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-29 - 14:52:16 IP: 202.108.*.*
aqian
高级工程师
来自：
发表总数：113
查看 短消息 电子邮件 个人主页 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
谢谢大家的热情帮助！！！
现在问题是解决了，可是什么那个原因还是说服不了我！是这样子的，我的DSP的A15,A14,A13这3跟地址线引到altera公司的PLD芯片7128上参与逻辑编码，后来由于A15没有派上用场就悬空在那里，后来我们把它接到一个非门上去了，一切操作都正常了！表面上，可能由于PLD的悬空脚的电平不稳定导致这个结果，但是细究起来还是不明白为什么会出现这个原因！
tinyfish，我想请教一个问题，就是写一个字时使用循环等待好还是用查询状态位的办法好呢？我觉得使用固定循环可能会浪费时间（我的CPU是DSP芯片，时间最宝贵了），但是查询我觉得挺麻烦，因为我那部分的说明没看明白就写程序了：），你给我提个意见吧；还有就是你说的：写之前或者写之后最好加上0xF0这样的reset指令，不知是真假延时还是有什么别的用处，请提示；
--------------------------------
天外有天 －没错
山外有山 －没问题
我外有你 －Certainly
你中有我 －哇塞，怎么可能哦？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-29 - 18:36:10 IP: 211.97.*.*
wl
工程师
来自：
发表总数：15
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
感觉还是有问题,当然,我没看过你们的硬件连线图,只是妄加揣测.
你将整个两片flash都检查过了么?1000,2000,3000这些地址都试过了?
我去下了一个新版的数据手册,发现新版上应该是Note5,而不是Note4.
直觉是由于恰好有一个非的关系,所以硬件上能这样蒙对,但你可以试试软件上修改.
`可是什么那个原因还是说服不了我！`这句话真有意思,哈哈哈
仅供参考.
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-30 - 02:08:57 IP: 61.171.*.*
tinyfish
助理工程师
来自：
发表总数：5
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
> 写一个字时使用循环等待好还是用查询状态位的办法好呢？
查询状态位时肯定要占用系统BUS，个人认为：最好的办法是循环等待加查询状态位，
也就是查询一次状态位后若不成功就固定等待一定时间（比如10us等），这样循环
的时候让出BUS给其他HW使用
> 我觉得使用固定循环可能会浪费时间（我的CPU是DSP芯片，时间最宝贵了），
> 但是查询我觉得挺麻烦，因为我那部分的说明没看明白就写程序了：），
对，由于FLASH操作时间很长，所以对于时间的分配使用是RealTime系统的关键
我也没什么好的办法，一直都是用的查询状态位来做的
再说写一个WORD的时间也不长啊，好象才10-20us，能够忍受
不过如果你使用的OS支持比较好的调度情况，可以使用系统函数来调度其他TASK来跑
> 写之前或者写之后最好加上0xF0这样的reset指令，
印象中有些FLASH要求READ之前需要写入0XF0这样的RESET指令，
否则读操作会不太正常或者出现莫名其妙的问题，所以建议加上这个
> 不知是真假延时还是有什么别的用处
真假延时？啥意思？跟0XF0有关系吗？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-04-01 - 13:14:28 IP: 61.48.*.*
amine
版主
来自：
发表总数：517
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
> >写之前或者写之后最好加上0xF0这样的reset指令，
>印象中有些FLASH要求READ之前需要写入0XF0这样的RESET指令，
>否则读操作会不太正常或者出现莫名其妙的问题，所以建议加上这个
在Flash内部有个微代码的状态机, 驱动Flash在各个状态之间转换
如read-write-erase-timeout
在write,erase状态的执行过程中不会响应读,复位等命令.
在上电时, flash缺省处于读状态, 可以读而不用复位,
当出现D5_timeout时, flash处于`超时`状态, 不会响应`复位`以外的其他命令,
这时就必须使用`复位`, 才能对flash继续操作, 否则出现Flash死锁,
出现D5_timeout的主要原因: 向未擦除字节写入, 也就是想将0位写为1
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-04-02 - 04:04:59
aqian
高级工程师
来自：
发表总数：113
查看 短消息 电子邮件 个人主页 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
我用C32对flash进行读写，发现如果向Flash中的地址为Addr的单元写一个数，地址为4000＋Addr的单元也会被写入相同的数，还有8000＋Addr这个单元也是这种情况，我觉的好生奇怪，请问这可能是什么问题？以前碰到过地址短路的问题，那也大不了出现多个地址对应一个单元的现象，可现在却是多个单元对应一个地址，真是想不明白！
我的Flash是AMD29F400B，AMD公司的，如果大侠用过的话，请看看我的程序有什么问题：
/*Write a word-data to the address-specified memory cell*/
unsigned int Write_SingleWord_Flash(unsigned int *DestAddr,unsigned int Data)
{
unsigned int *ptr,i,j,RdData;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write program command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0xA000A0;
/*Write the data to the selected memory cell*/
*DestAddr = Data;
/*Verify the data writen to flash be right or not*/
for(i=0,j=0;i<50;i++){ j++;}
RdData = *DestAddr;
if(RdData == Data){
return(True);
}else{
return(False);
}
}
--------------------------------
天外有天 －没错
山外有山 －没问题
我外有你 －Certainly
你中有我 －哇塞，怎么可能哦？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-22 - 19:45:47 IP: 211.97.*.*
amine
版主
来自：
发表总数：517
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
我觉得还是地址线短路问题,
按你所说, 应该有两根地址线短路, 导致有3个存储单元对应一个地址
如果推测没错的话, 应该是A14, A15短路拉.
Hope this help!
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-24 - 14:19:44 IP: 210.53.*.*
老猫
工程师
来自：
发表总数：28
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
在16KB的位置重复出现同一个东东，前面14根地址线应该没有问题。不知道你是如何确定3个单元的内容相同的？是用别的读写设备还是你的程序运行的那块板子？一般来说，即使地址线短路，对于Flash来说一次写入的东东应该是在一个地方而不是多个地方，但是读取的时候则会从多个地址读出同一个东东。确认一下到底是同时写入了多个地址（？）还是读出的时候由于地址线短路导致高端地址重叠？
--------------------------------
猫眼看天，仅供参考
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-24 - 16:43:16 IP: 211.162.*.*
aqian
高级工程师
来自：
发表总数：113
查看 短消息 电子邮件 个人主页 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
我用的Ti的CCS软件调C32的，存储器的内容是可以在线看的，通过JTAG口仿真的；我看到3个内容同时变的！地址我是从0写道0xFF，都是这样！怪！会不会是Flash有问题？我还块板子看看（这次只作了3块板子），地址线我都测过了，没有出现粘的现象，这点不用怀疑了；别的什么原因我也想不到，没法下手
--------------------------------
天外有天 －没错
山外有山 －没问题
我外有你 －Certainly
你中有我 －哇塞，怎么可能哦？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-24 - 18:19:36 IP: 61.156.*.*
老猫
工程师
来自：
发表总数：28
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
怪哉，用编程器读读看，再确认一下；
用编程器写一写同样的片子，看看是不是会出现同样的现象。
--------------------------------
猫眼看天，仅供参考
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-24 - 19:20:12 IP: 211.162.*.*
wl
工程师
来自：
发表总数：15
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
你的表述太不清楚，让人理解起来很费力。
对于你说：“我还块板子看看（这次只作了3块板子），地址线我都测过了，没有出现粘的现象，这点不用怀疑了”，到底所指哪块板子？
1。通常我们使用了很多AMD公司的该型号flash，像这种大规模生产的东西出问题几率很少。
2。你所说的情况由短路和虚焊引起的可能性是很大的，特别是读，这是手工焊接不可避免的。你可以查查读写门的打开情况。
3。数据不要太对称，55AA虽然用来检测，但要灵活多变。
4。存储器看到的已经不是正确的了，即存储器里的值！=寄存器里的值。
仅供参考。
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-25 - 13:03:01 IP: 202.108.*.*
zhangsifu
工程师
来自：
发表总数：39
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
1.你先将flash擦除一下，再向其中写数据。
2.写入数据后要查询一下DQ7，1时完成，0是忙，只有当DQ7为1时才继续下面的写操作。
3.你检查一下你的地址线和有没有和地短上
--------------------------------
EMBEDDED
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-25 - 13:53:38 IP: 202.200.*.*
aqian
高级工程师
来自：
发表总数：113
查看 短消息 电子邮件 个人主页 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
不好意思，不好意思，由于出现这种怪问题我有点着急，表达起来有点语不达意，各位热心朋友请多多包涵，现在我把问题重新整理一遍如下：
1）我用的这块芯片是AMD公司的Am29F400B，它的容量是4Megabit（4兆位），它可以配置位16位和8位的存储器，这个由管脚BYTE#的电平来决定，我把这个脚拉成高电平以配置16位；两块Am29F400B并起来构成一个32位的Flash，地址线和控制线和C32的链接完全一样，数据线分别接到C32的高16位和低16位上；
2）快板子的地址线没有出现任何短接现象，这个经过测试的；另外我们采用的是贴片机焊接的，一般不会出现虚焊的现象；
3）我对Flash的操作均流程是这样的：
a.先插除整个芯片（通过调用函数Erase_WholeChip()来完成的）
/*Erase all cells in the whole chip */
unsigned int Erase_WholeChip(void)
{
unsigned int *ptr,i;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write tow unlock cycles*/
*ptr =0x0;
*ptr =0x0;
/*Write whole chip erase command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x800080;
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x100010;
/*Verify erasing operation be right or not*/
for(i=0;i0x1FFFF){
i=0;
}
Flag &＝ Write_SingleWord_Flash((unsigned int*)i,i);
i++;
}
发现向地址为i的单元里写数据（由程序可以知道这个数据就是i）的时候，地址为（0x4000＋i）、（0x8000＋i）、（0xC000＋i）的单元也同时被写了数据i；在写到0x4000以前，写函数Write_SingleWord_Flash()返回来的值都是True，写到0x4000的时候就发现返回来的值就不对了，是False；同样，我向地址为i、（0x4000＋i）、（0x8000＋i）、（0xC000＋i）的四个单元中的任何一个单元中写数据的时候，另外3个都发生同样的变化（插除之后）！写的数据完全是随机的，不存在对称不对称的问题；
4）我们公司以前用过Amd公司的flash芯片，不过和这次用的flash芯片的封装不一样，以前的flash没有出现这种情况，我希望这次出现的现象与Amd公司没有关系，否则它们就麻烦罗，呵呵；另外我们开发部以前的工程师都觉得这个现象简直不可思议，呵呵:）顺便说一句，这几片flash都是我们申请的样片，呵呵；
--------------------------------
天外有天 －没错
山外有山 －没问题
我外有你 －Certainly
你中有我 －哇塞，怎么可能哦？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-25 - 18:59:26 IP: 211.97.*.*
老猫
工程师
来自：
发表总数：28
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
用你的程序写完之后有没有用编程器读出来看一下？AMD的这个片子好像没有BGA封装的，拆起来应该不太困难，试试看先^_^
不过从你的描述来看，似乎确实是同时写到不同的位置去了，奇怪。
--------------------------------
猫眼看天，仅供参考
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-25 - 19:13:59 IP: 211.162.*.*
zhangsifu
工程师
来自：
发表总数：39
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
1.
unsigned int Write_SingleWord_Flash(unsigned int *DestAddr,unsigned int Data)
{
unsigned int *ptr,i,j,RdData;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write program command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0xA000A0;
/*Write the data to the selected memory cell*/
*DestAddr = Data;
/*Verify the data writen to flash be right or not*/
for(i=0,j=0;i<50;i++){ j++;} 单步执行，停止到这一句试试
RdData = *DestAddr;
if(RdData == Data){
return(True);
}else{
return(False);
}
}
2.
unsigned int Erase_WholeChip(void)
{
unsigned int *ptr,i;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write tow unlock cycles*/
*ptr =0x0; 去掉试试
*ptr =0x0; 去掉试试
/*Write whole chip erase command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x800080;
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x100010;
/*Verify erasing operation be right or not*/
for(i=0;i if(*(ptr+i)==(unsigned int)0xFFFFFFFF) i++;
}
return(True);
}
3.你可以向地址0x10000中写数据看看有没有类似情况。
--------------------------------
EMBEDDED
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-25 - 21:15:12 IP: 202.200.*.*
aqian
高级工程师
来自：
发表总数：113
查看 短消息 电子邮件 个人主页 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
1.
unsigned int Write_SingleWord_Flash(unsigned int *DestAddr,unsigned int Data)
{
unsigned int *ptr,i,j,RdData;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write program command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0xA000A0;
/*Write the data to the selected memory cell*/
*DestAddr = Data;
/*Verify the data writen to flash be right or not*/
for(i=0,j=0;i<50;i++){ j++;} 单步执行，停止到这一句试试 执行到这里问题就出现了
RdData = *DestAddr;
if(RdData == Data){
return(True);
}else{
return(False);
}
}
2.
unsigned int Erase_WholeChip(void)
{
unsigned int *ptr,i;
ptr=(unsigned int *)FlashBaseAddr;
/*Write tow unlock cycles*/
*ptr =0x0; 去掉试试 这两句是为了在flash处于低功耗模式的唤醒它用的，
*ptr =0x0; 去掉试试 去掉也可以，不过现象任然存在！
/*Write whole chip erase command sequenc*/
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x800080;
*(ptr+0x555) =0xAA00AA;
*(ptr+0x2AA) =0x550055;
*(ptr+0x555) =0x100010;
/*Verify erasing operation be right or not*/
for(i=0;i if(*(ptr+i)==(unsigned int)0xFFFFFFFF) i++;
}
return(True);
}
3.你可以向地址0x10000中写数据看看有没有类似情况。 有类似的情况发生，即10000h＋i、14000h＋i、18000h＋i、1c000h＋i同时被写入数据；
Edited by - aqian 重新编辑於 2002-03-26 08:36:05
--------------------------------
天外有天 －没错
山外有山 －没问题
我外有你 －Certainly
你中有我 －哇塞，怎么可能哦？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-26 - 08:31:45 IP: 211.97.*.*
wl
工程师
来自：
发表总数：15
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
1。在擦除和写操作命令后加入同步指令，关掉cache。
2。按照zhangsifu所说的加入测试状态位DQ7的指令。
3。用随机数测试，不要对称的测试，看是否有规律。
4。检查设计，看是否读写门同时打开。
5。确认分区大小。
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-26 - 09:24:40 IP: 202.108.*.*
wl
工程师
来自：
发表总数：15
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
我重新看了一下你描述的设计，感觉你的命令序列有问题。
data sheet上的设计不能照搬，因为那是一个片子的情况。
你可以将其仔细考虑，对于该片子，A0,A14最重要，由于你的用两块，所以A15也重要，你仔细考虑一下吧！
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-26 - 09:51:01 IP: 202.108.*.*
zhangsifu
工程师
来自：
发表总数：39
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
你现在可以只对一个flash进行操作，看看是不是和同时操作两个flash有关。
--------------------------------
EMBEDDED
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-26 - 11:47:08 IP: 202.200.*.*
tinyfish
助理工程师
来自：
发表总数：5
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
我做过这个片子的驱动，但没有碰到过这样的问题
看完你的代码觉得有些地方处理得不是很妥当
1. 写之前或者写之后最好加上0xF0这样的reset指令
2. 写/擦完成的判断最好用DQ6/7，不要用时间来定时，因为时间并不精确，我印象中看到的AMD的文档上写的时间都是一个不确定数，单位是ms，差别极大
try it!
不过对于这个问题，我感觉硬件上的原因相当大
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-29 - 13:51:26 IP: 61.48.*.*
wl
工程师
来自：
发表总数：15
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
99%的可能是软件问题，我认为。
对于tinyfish，你所说的只是编程应该注意的，实际上你们都没认真理解。可以再仔细看看手册上的注意事项。尤其是Note4。
不过这应该是BSP或硬件工程师应该给你说清楚的。
你调试完可以告诉大家结果。
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-29 - 14:52:16 IP: 202.108.*.*
aqian
高级工程师
来自：
发表总数：113
查看 短消息 电子邮件 个人主页 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
谢谢大家的热情帮助！！！
现在问题是解决了，可是什么那个原因还是说服不了我！是这样子的，我的DSP的A15,A14,A13这3跟地址线引到altera公司的PLD芯片7128上参与逻辑编码，后来由于A15没有派上用场就悬空在那里，后来我们把它接到一个非门上去了，一切操作都正常了！表面上，可能由于PLD的悬空脚的电平不稳定导致这个结果，但是细究起来还是不明白为什么会出现这个原因！
tinyfish，我想请教一个问题，就是写一个字时使用循环等待好还是用查询状态位的办法好呢？我觉得使用固定循环可能会浪费时间（我的CPU是DSP芯片，时间最宝贵了），但是查询我觉得挺麻烦，因为我那部分的说明没看明白就写程序了：），你给我提个意见吧；还有就是你说的：写之前或者写之后最好加上0xF0这样的reset指令，不知是真假延时还是有什么别的用处，请提示；
--------------------------------
天外有天 －没错
山外有山 －没问题
我外有你 －Certainly
你中有我 －哇塞，怎么可能哦？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-29 - 18:36:10 IP: 211.97.*.*
wl
工程师
来自：
发表总数：15
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
感觉还是有问题,当然,我没看过你们的硬件连线图,只是妄加揣测.
你将整个两片flash都检查过了么?1000,2000,3000这些地址都试过了?
我去下了一个新版的数据手册,发现新版上应该是Note5,而不是Note4.
直觉是由于恰好有一个非的关系,所以硬件上能这样蒙对,但你可以试试软件上修改.
`可是什么那个原因还是说服不了我！`这句话真有意思,哈哈哈
仅供参考.
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-03-30 - 02:08:57 IP: 61.171.*.*
tinyfish
助理工程师
来自：
发表总数：5
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
> 写一个字时使用循环等待好还是用查询状态位的办法好呢？
查询状态位时肯定要占用系统BUS，个人认为：最好的办法是循环等待加查询状态位，
也就是查询一次状态位后若不成功就固定等待一定时间（比如10us等），这样循环
的时候让出BUS给其他HW使用
> 我觉得使用固定循环可能会浪费时间（我的CPU是DSP芯片，时间最宝贵了），
> 但是查询我觉得挺麻烦，因为我那部分的说明没看明白就写程序了：），
对，由于FLASH操作时间很长，所以对于时间的分配使用是RealTime系统的关键
我也没什么好的办法，一直都是用的查询状态位来做的
再说写一个WORD的时间也不长啊，好象才10-20us，能够忍受
不过如果你使用的OS支持比较好的调度情况，可以使用系统函数来调度其他TASK来跑
> 写之前或者写之后最好加上0xF0这样的reset指令，
印象中有些FLASH要求READ之前需要写入0XF0这样的RESET指令，
否则读操作会不太正常或者出现莫名其妙的问题，所以建议加上这个
> 不知是真假延时还是有什么别的用处
真假延时？啥意思？跟0XF0有关系吗？
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-04-01 - 13:14:28 IP: 61.48.*.*
amine
版主
来自：
发表总数：517
查看 短消息 电子邮件 引用 回复
--------------------------------------------------------------------------------
> >写之前或者写之后最好加上0xF0这样的reset指令，
>印象中有些FLASH要求READ之前需要写入0XF0这样的RESET指令，
>否则读操作会不太正常或者出现莫名其妙的问题，所以建议加上这个
在Flash内部有个微代码的状态机, 驱动Flash在各个状态之间转换
如read-write-erase-timeout
在write,erase状态的执行过程中不会响应读,复位等命令.
在上电时, flash缺省处于读状态, 可以读而不用复位,
当出现D5_timeout时, flash处于`超时`状态, 不会响应`复位`以外的其他命令,
这时就必须使用`复位`, 才能对flash继续操作, 否则出现Flash死锁,
出现D5_timeout的主要原因: 向未擦除字节写入, 也就是想将0位写为1
--------------------------------------------------------------------------------
编辑 发表於：2002-04-02 - 04:04:59
关键词： 讨论 Flash 操作 问题 老站转 发表 ---
共1条
1/1 1 跳转至页
回复
| 有奖活动 | |
|---|---|
| 【有奖活动】分享技术经验，兑换京东卡 | |
| 话不多说，快进群！ | |
| 请大声喊出：我要开发板！ | |
| 【有奖活动】EEPW网站征稿正在进行时，欢迎踊跃投稿啦 | |
| 奖！发布技术笔记，技术评测贴换取您心仪的礼品 | |
| 打赏了！打赏了！打赏了！ | |
STM32
MCU
通讯及无线技术
物联网技术
电子DIY
板卡试用
基础知识
软件与操作系统
我爱生活
小e食堂