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据In-Stat/MDR近日发布的研究报告指出，嵌入式闪存(eFlash)市场发展不如人愿。In-Stat/MDR研究发现，由于受成本过高等因素的桎梏，快速增长的eFlash发展势头开始减弱。受其影响，全球客户定制嵌入式闪存出货量预计年复合增长率为13.2%，市场规模从2002年的1.958亿美元增加到2007年的3.639亿美元。 “虽然嵌入式闪存市场出现的发展迟滞与嵌入式DRAM(eDRAM)市场有些相似，但eFlash更加复杂。”In-Stat/MDR高级分析师Jerry Worchel认为，“然而，这些嵌入式存储器技术将会在2007年前一直保持增长态势。除此之外，随着替代SRAM步伐的加快，也将促进嵌入式闪存市场发展。” 在市场应用领域看，嵌入式闪存在客户定制、复杂产品设计、高端通信设备应用中占主导地位，预计有4/5的嵌入式闪存用于这些市场。而在地域方面划分，美国是专用嵌入式闪存市场的消费大国，日本与美国将总计消费全球3/4的客户定制eFlash器件。 尽管嵌入式闪存技术非常具有诱惑力，在未来设计中有望得到广泛使用。但现在由于受成本的影响，许多设计还无法采用嵌入式存储技术。