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电子产品世界 » 论坛首页 » 嵌入式开发 » MCU » 求助大家一个关于三极管的问题

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witin
高工
2013-10-16 09:17:32     打赏
11楼

基极电压下降慢,说明你的138拉电流能不够.把基极电阻调小,还不行在这个前面再加一个N管拉这个N管的基极电流.或者把Q3换成高速三极管,小功率mos之类的.

最好能提供一下数据,没达到你想要的速度,你这个开关频率是多高的? 再或者你直接用TC4420这类专业的半桥驱动.


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alex120
菜鸟
2013-10-16 10:01:40     打赏
12楼
我已经做了实验，发现效果很明显，可是我还想再加快下降沿，是否考虑换三极管呢？

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alex120
菜鸟
2013-10-16 10:03:21     打赏
13楼

我做了并电容的实验，发现有改善但是效果还是不明显！


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antonine
高工
2013-10-16 10:05:49     打赏
14楼

看你的需求了，

不是太了解你现在的电路边沿情况，以及你的需求


如果确实不能满足需要，当然可以换

还可以换小功率MOS管


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antonine
高工
2013-10-16 10:17:11     打赏
15楼
并电容是提高开通速度，对于关闭速度作用不大

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antonine
高工
2013-10-16 10:24:06     打赏
16楼

这个问题需要这么理解


要尽量提高晶体管开关速度，

1.需要使晶体管工作在开关状态

2.晶体管不能进行深度饱和状态


上面提到的基极电阻并电容，是为了加大开通电流，提高开通速度，对关断速度作用不大，甚至应该有害无利

并二极管，是为了对BC结进行钳位，防止晶体管进入深度饱和状态


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antonine
高工
2013-10-16 10:25:19     打赏
17楼

还有一个改进方向，就是调节基极电阻和集电极电阻，

改变IB,IC，即晶体管的饱和状态


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xqh518
院士
2013-10-16 14:56:56     打赏
18楼

喔，可能我没说清楚。

我的意思不是要在基极上并联电容，而是要减小原有的并联电容，因为基极并联电容大了，基极电压就下降慢了，基极电流也就关断慢了，其下降沿自然就缓慢了。减小原有的并联电容是为了使基极电压尽快跳变到低电位，使下降沿的时间变短。如果基极上原来没有并联电容，那也就不用考虑这条了。


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alex120
菜鸟
2013-10-16 21:09:29     打赏
19楼
像si2302这样的mos可以使用吧，使用mos，还需要加二极管吗？我的要求是越小越好啦！受限于成品，只能使用这样的结构了。

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alex120
菜鸟
2013-10-16 21:12:14     打赏
20楼
PWM的频率是32.5KHZ！上升沿想越陡越好。那种驱动电路有便宜的不？成本哪。。。呵呵

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