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我做了并电容的实验，发现有改善但是效果还是不明显！

看你的需求了，

不是太了解你现在的电路边沿情况，以及你的需求

如果确实不能满足需要，当然可以换

还可以换小功率MOS管

这个问题需要这么理解

要尽量提高晶体管开关速度，

1.需要使晶体管工作在开关状态

2.晶体管不能进行深度饱和状态

上面提到的基极电阻并电容，是为了加大开通电流，提高开通速度，对关断速度作用不大，甚至应该有害无利

并二极管，是为了对BC结进行钳位，防止晶体管进入深度饱和状态

还有一个改进方向，就是调节基极电阻和集电极电阻，

改变IB,IC，即晶体管的饱和状态

喔，可能我没说清楚。

我的意思不是要在基极上并联电容，而是要减小原有的并联电容，因为基极并联电容大了，基极电压就下降慢了，基极电流也就关断慢了，其下降沿自然就缓慢了。减小原有的并联电容是为了使基极电压尽快跳变到低电位，使下降沿的时间变短。如果基极上原来没有并联电容，那也就不用考虑这条了。