国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的鉴定验收，今天在山东省济南市顺利通过。这标志着我国半导体发光器件拥有了自己的“中国心”，打破了半导体外延材料与管芯技术被欧美发达国家和地区垄断的局面。 据中国工程院院士蒋民华教授介绍，“半导体发光器件外延工艺与管芯技术” 是我国光电子产业化前期关键技术开发项目，国家和山东省先后投资7300 万元，历经3年多时间才使高亮度红、橙、黄、黄绿发光二极管外延材料及管芯达到了产业化水平。目前，这一项目已形成了一定生产规模，可年产各类高亮度及超高亮度发光二极管、激光二极管外延片4万片、管芯2亿粒。 鉴定验收委员会的专家认为：该项目整体设计合理，在产业化前期关键技术研究的同时，兼顾了产业化生产， “A1GInP高亮度发光二极管外延材料”、“650nm应变量子阱激光器外延材料及管芯技术”、“大功率808nm无铝应变量子阱激光器”、“A1GInP 高亮度发光二极管管芯”等4项技术，具有创新性，达到国际先进水平，并具有自主知识产权，产品指标国内领先。 鉴定验收委员会专家指出，国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的成功，使我国已经具备了大批量提供各类高亮度发光二极管、激光二极管外延材料及管芯产品的生产能力，意味着中国半导体发光器件行业开始迈入世界先进行列。 据专家介绍，由光学和电子学交叉渗透而形成的光电子技术，其应用非常广泛，涉及光通讯、光电显示、光储存、光电输入输出、激光等诸多领域。目前，我国有一批科学家和高新技术企业致力于光电子技术的研究和开发，全国光电子产业总产值已由1995年的80多亿元发展到2001年的近900多亿元。