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DS18B20控制的实现

高工
2013-10-25 15:38:18     打赏

参考源码如下:

#include

#define uint unsigned int

#define uchar unsigned char

sbit temp = P2^2;

// delayus(1);//7us

// delay(1);//24us

// delayms(1);//826ms

// delayus(10);//25us

// delay(10);//123us

// delayms(10);//8141ms

//delayus(15);//35us

//delayus(25);//55us

//delayus(3); //13us

//delayus(17);//39us

//delayus(18);//41us

void delayus(uchar i)

{

while(--i);

}

void delayms(uint i)

{

uint j;

for(;i>0;i--)

for(j=100;j>0;j--);

}

void delay(uint i)

{

uint j;

for(j;j

}

void ds18_reset()

{

temp = 0;

delayms(1);

temp = 1;

delayus(25);//55us

}

void ds18_ack()

{

while(temp);

while(!temp);

}

void ds18_writebit(char bitval)

{

temp = 0;

delayus(2);

if(bitval)temp =1;

delayus(15);

temp =1;

}

void ds18_writechar(uchar uc)

{

uint i = 0;

uchar tempdata;

for(i;i8;i++)

{

tempdata = uc >> i;

tempdata = 0x01;

ds18_writebit(tempdata);

}

// delayus(25);

}//从8位数据的低位开始写

uchar ds18_readbit()

{

temp =0;

temp = 1;

delayus(1);

return temp;

}

uchar ds18_readchar()

{

uchar returntemp = 0x00;

uint i = 0;

for(i;i8;i++)

{

if(ds18_readbit())

{

returntemp |= 0x01

}else{

returntemp |= 0x00

}

delayus(18);//每读一个位,要延时40-40us//获取应该更小一点,因为前面一句貌似已经占用了一些时间了

}

return returntemp;

}//首先读到的也是低位字节

void main()

{

uint mi = 0;

uchar ds18data[9]= {0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00,0x00};

ds18_reset();

ds18_ack();

ds18_writechar(0xcc);

ds18_writechar(0x44);

while(ds18_readchar()!=0xff);//单片机开始温度转换后,单总线会被其一直拉低直到总线上在八us时间内持续保持高电平说明转换完成

//测试ds18b20的供电模式(返回值是1)

/* ds18_writechar(0xB4);

temp= 0;

temp = 1;

delayus(1);

if(temp)

{P1 = 0x00;}else{P1 = 0xf0;}

while(1);*/

ds18_reset();

ds18_ack();

ds18_writechar(0xcc);

ds18_writechar(0xBE);

delayus(1);

// P1 = 0xf0;

for(mi = 0;mi 9;mi++)

{

ds18data[mi] = ds18_readchar();

}

for(mi = 0;mi 9;mi++)

{

P1=0xaa;

delayms(1500);

P1 = ~ds18data[mi];

delayms(15000);//

}

P1 = 0x00;

ds18_reset();

while(1);

}

其中应注意一下几点:

1.延时函数应该通过仿真确定实际延时时间,由于keil将c语言编译后会进行一些优化,所以某些写法的延时函数不会是与传入参数呈线性关系的

2.串行向ds18b20写入数据时候,高地位的写入顺序是要注意的(之前因为读出来是从高位开始,写的时候也从高位开始,产生了问题,实际上写给18b20的时候是从低位开始传输的)

3.给ds18b20 “Convert T(0x44) 命令后,应该重新开始一次reset周期之后读取ds18b20的暂存器,若是在0x44后直接读取,则没成功,并且每次开机都应该先给ds18b20发送一个“Convert T命令,否则会读出内部暂存器默认值的。

4.参考一些资料重写后,发现数据读出来都是1,于是怀疑是读出数据的问题,检查并且debug了许久未得其原因,后来考虑到可能是芯片没有响应,所以每次读到都是总线的高电平。于是检查了写函数,发现ds18_writechar()中调用的是ds18_writebit(temp),那么写入的一直是1,ds18b20还会思考呢,给我都是1的命令,我命令表中没有啊

5.单片机用于debug的方法不怎么多,在没有逻辑分析仪的情况下,实时通过led输出八位数据也是不错的选择

6.单总线协议对时序和延时的要求确实比较高。

附上读出rom和ram的数据

rom:

0010 1000 //从数据手册中得知此八位为0x28 , 为系列码

1110 1010

1100 0000

1011 1011

0000 0100

0000 0000

0000 0000

0100 0001

ram:

1100 1001

0000 0001//1 1100 1001 = 1B9 * 0.0625 = 28.5625 // 完美!!!!!

0100 1011

0100 0110

0111 1111//第五六位为11,温度转换精度为12位

1111 1111

0000 0111

0001 0000

0110 0100

经过两天,各种读文档,各种参考程序,终于能正确的写出了这么一个单总线协议的函数了




关键词: datasheet中文资料     datasheet p    

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