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一、概念理解

1、N型半导体：又称为电子型半导体。在纯净的硅晶体中通过特殊工艺掺入少

量的五价元素（如磷、砷、锑等）而形成，其内部自由电子浓度远大于空穴浓度。

所 以，N半导体内部形成带负电的多数载流子——自由电子，而少数载流子是

空穴。N型半导体主要靠自由电子导电。由于自由电子主要由所掺入的杂质提供，

所以掺 入的五价杂质越多，自由电子的浓度就越高，导电性能就越强。而空穴

由热激发形成，环境温度越高，热激发越剧烈。

2、P型半导体：又称为空穴型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）

而形成，其内部空穴浓度远大于自由电子浓度，所以，P型半导体内部形成带正

电 的多数载流子——空穴，而少数载流子是自由电子。P型半导体主要靠空穴

导电。由于空穴主要由所掺入杂质原子提供，掺入三价的杂质越多，空穴的浓度

就越高， 导电性能就越强。而自由电子是由热激发形成，环境温度越高，热激

发越激烈。

3、PN结及特性：P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N

型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，

载 流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有内建一个

由N区指向P区的内电场。由于内电场是由多子建成，所以达到平衡后，内建电

场将阻挡 多数载流子的扩散，但不能阻止少数载流子。P区和N区的少数载流

子一旦接近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方。ＰＮ结的单向导电性

外加正向电压（正偏）：在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电

荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起

主要 作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由

电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。外加反向电压（反偏）：在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间

电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动

起主 要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。

因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。当温度一定时，少子浓度一定，反

向电流几 乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。

4、扩散和漂移：多数载流子移动时扩散，少数载流子移动时漂移。

5、复合：电子和空穴相遇就会复合，大量的电子-空穴对复合就形成电流。

6、空间电荷区：也称耗尽层。在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导

致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷 区，

它就是空间电荷区。在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者

说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。P区一侧呈现负电荷，N区一 侧

呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由N区指向P区的内电场。内电场将阻

碍多子的扩散，而少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方。PN结

正偏时，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。PN结反偏时，

扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩

散。

7、内电场：PN结附近空间电荷区中，方向由N区指向P区的内电场。内电场对

多数载流子起隔离作用，而对少数载流子起导通作用。

8、载流子：可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。金属中为电

子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。

9、少数载流子：P型半导体地少数载流子是自由电子，N型半导体中是空穴。

10、二极管：单向导电性。正偏多数载流子可以通过，反偏少数载流子可以通过。

反偏时P型半导体和N型半导体不能提供源源不断的少数载流子，所以反偏近似

无电流。

二、三极管的工艺要求及作用

1、发射区掺杂浓度高：确保发射区中有足够多的多数载流子——电子，当基极

电压高于发射极的时候，才有足够多的电子扩散到基极。

2、基区做得非常薄：可以更好的让基极（P型半导体）中的少数载流子——电

子漂移到集电极。

三、工作条件

1、集电极电压（Vc）大于基极电压（Vb），基极电压（Vb）稍高于发射极电压（Ve）。即：Vc>Vb>Ve，其中Vb一般高于Ve为0.7V；Vc常见电压比Ve高12V。

这样就使得集电结反偏，发射结正偏。

2、如要取得输出必须加负载电阻。

四、三极管的工作原理

见附图

五、关于三极管的问题

1、集电极（C极）处于反偏状态，为什么还有电流通过？答：PN结正偏情况下是利于“多数载流子”通过，而反偏则利于“少数载流子”

通过，对于基极（B极）来说，它的少数载流子是电子，而当基极电压高于发射

极，有电流注入时，发射结正偏导通，发射区向基区扩散大量电子。这些电子在

内电场的作用下漂移到C极。从三极管外部看来，电流能通过反偏的集电结，其

实， 要分清楚“多子”、“少子”的区别。P型半导体的多子是空穴，少子是

自由电子；N型半导体的多子是自由电子，少子是空穴。 2、为什么集电极要加上很高的电压？答：电压高能使集电结的内电场更强，作用在少子上的力更大，有利于少子、尤

其是从基区漂移到发射区的电子；同时阻止多子的通过。

3、为什么基区要做得很薄？答：因为少子越贴近内电场，就越容易受其作用漂移到PN结对面。如果做得太

厚，那进入基区的电子就不能很好地受内电场的作用，不能很好地漂移到集电区，

所以要从生产工艺上把它做得很薄，厚度一般在几个微米至几十个微米。

4、为什么发射区的掺杂浓度最高？答：发射区掺杂浓度高才有更多的多数载流子，P型半导体中的多子是空穴，而 NPN型半导体的发射区是N型半导体，掺杂浓度高使其有更多的自由电子，这样

在 基极和发射极的电压差（基极高于发射极）作用下，才有更多电子扩散到基

区。假设发射区的掺杂浓度和基区浓度相同，那么扩散到基区的电子绝大多数会

跟基区的 空穴进行复合掉，电流的放大能力下降。

5、放大倍数β如何确定？答：在生产过程中，控制基区的厚度和各个区的掺杂浓度，就能生产出不同放大

倍数β的三极管。

6、基极（B极）小电流如何控制集电极大电流？

答：当基极没有电流的时候，集电结几乎没有电子通过；基极电流慢慢增大时，集电结在正偏电压作用下，多子逐渐激烈地向基区扩散。由于基区掺杂浓度低，

扩散 到集电区的多子少，需要外部注入的电流小。发射区掺杂浓度高，扩散到

基区的多子多，需要外部注入的电流大。放大倍数跟基区厚度、发射区掺杂浓度

成正比。发 射极跟基极复合的电子非常少，主要被集电结的内电场拉到集电区，

集电极电流近似于发射极电流。外部注入基极电流越大，发射区到基区的电子扩

散就越激烈，漂 移到集电区的电子也越多。在三极管的外部看来，发射极电流

和集电极电流也急剧增大。 7、用两个二极管可否焊接成一个三极管？答：虽然两个二极管能结成一个NPN或PNP型的三极管，但其内部硅晶体的掺杂

浓度不同于三极管，再者“基极”没能做得很薄，漂移过“集电结”的少子相当

少（不是没有），因此发射极中的载流子几乎不能到达集电结。