这些小活动你都参加了吗?快来围观一下吧!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 嵌入式开发 » STM32 » mcuisp读器件信息是RAM还是FLASH?

共4条 1/1 1 跳转至

mcuisp读器件信息是RAM还是FLASH?

菜鸟
2017-01-24 17:46:36     打赏

如图右下角黑体,使用的是STM32,请问读器件数据所读的是RAM里的还是FLASH里的,

如果不是RAM的话,如何读上电的RAM值,求教




关键词: mcuisp     FLASH     stm32     ram    

专家
2017-01-24 21:52:16     打赏
2楼
应该是固化在FLASH上的。

专家
2017-01-26 22:30:56     打赏
3楼

选项字节 
     选项字节用于存储芯片使用者对芯片的配置信息。
目前,所有的STM32101xx、STM32102xx、STM32103xx、STM32105xx、STM32107xx产品,选项字节都是16字节。但是这16字节,每两个字节组成一个正反对,即,字节1是字节0的反码,字节3是字节2的反码,...,字节15是字节14的反码,所以,芯片使用者只要设置8个字节就行了,另外8个字节系统自动填充为反码。因此,有时候,也说STM32的选项字节是8个字节,但是占了16字节的空间。选项字节的8字节正码概述如下: 


RDP   字节0。读保护字节,存储对主存储块的读保护设置。 
USER  字节2。用户字节,配置看门狗、停机、待机。 
Data0  字节4。数据字节0,由芯片使用者自由使用。 
Data1  字节6。数据字节1,由芯片使用者自由使用。 
WRP0  字节8。写保护字节0,存储对主存储块的写保护设置。 
WRP1  字节10。写保护字节1,存储对主存储块的写保护设置。
WRP2  字节12。写保护字节2,存储对主存储块的写保护设置。 
WRP3  字节14。写保护字节3,存储对主存储块的写保护设置。 

选项字节写使能 

     在FLASH_CR中,有一个OPTWRE位,该位为0时,不允许进行选项字节操作(擦除、编程)。这称为选项字节写使能。只有该位为1时,才能进行选项字节操作。 该位不能软件置1,但可以软件清零。只有向FLASH_OPTKEYR依次写入KEY1和KEY2后,硬件会自动对该位置1,此时,才允许选项字节操作。这称为解锁(打开)选项字节写使能。该位为1后,可以由软件清零,关闭写使能。复位后,该位为0。错误操作不会永远关闭写使能,只要写入正确的键序列,则又可以打开写使能。写使能已打开时,再次打开,不会出错,并且依然是打开的。 很显然,进行选项字节操作前,先要解开闪存锁,然后打开选项字节写使能,之后,才能进行选项字节操作。 

选项字节擦除 
     建议使用如下步骤对选项字节进行擦除: 
1.检查FLASH_SR寄存器的BSY位,以确认没有其他正在进行的闪存操作。  

2.解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即,打开写使能。 
3.设置FLASH_CR寄存器的OPTER位为1。选择选项字节擦除操作。  

4.设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。 
5.等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0,表示操作完成。 
6.查询FLASH_SR寄存器的EOP位,EOP为1时,表示操作成功。

7.读出选项字节并验证数据。 
由于选项字节只有16字节,因此,擦除时是整个选项字节都被擦除了。

选项字节编程 
     建议使用如下步骤对选项字节进行编程: 
1.检查FLASH_SR寄存器的BSY位,以确认没有其他正在进行的编程操作。  
2.解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即,打开写使能。  
3.设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1。选择编程操作。  
4.写入要编程的半字到指定的地址。启动编程操作。 
5.等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0,表示操作完成。 
6.查询FLASH_SR寄存器的EOP位,EOP为1时,表示操作成功。 
7.读出写入的选项字节并验证数据。 对选项字节编程时,FPEC使用半字中的低字节并自动地计算出高字节(高字节为低字节的反码),并开始编程操作,这将保证选项字节和它的反码始终是正确的。 

主存储块的保护 
     可以对主存储块中的数据进行读保护、写保护。 读保护用于保护数据不被非法读出。防止程序泄密。 
写保护用于保护数据不被非法改写,增强程序的健壮性。 

读保护 
     主存储块启动读保护后,简单的说具有以下特性: 
1.从主存储块启动的程序,可以对整个主存储块执行读操作,不允许对主存储块的前4KB进行擦除编程操作,可以对4KB之后的区域进行擦除编程操作。 
2.从SRAM启动的程序,不能对主存储块进行读、页擦除、编程操作,但可以进行主存储块整片擦除操作。 
3.使用调试接口不能访问主存储块。这些特性足以阻止主存储器数据的非法读出,又能保证程序的正常运行。 
只有当RDP选项字节的值为RDPRT键值时,读保护才被关闭,否则,读保护就是启动的。因此,擦除选项字节的操作,将启动主存储块的读保护。如果要关闭读保护,必须将RDP选项字节编程为RDPRT键值。并且,如果编程选项字节,使RDP由非键值变为键值(即由保护变为非保护)时,STM32将会先擦除整个主存储块,再编程RDP。芯片出厂时,RDP会事先写入RDPRT键值,关闭写保护功能。 

写保护 
      STM32主存储块可以分域进行写保护。如果试图对写保护的域进行擦除或编程操作,在闪存状态寄存器(FLASH_SR)中会返回一个写保护错误标志。STM32主存储块每个域4KB,WRP0-WRP3选项字节中的每一位对应一个域,位为0时,写保护有效。对于超过128KB的产品,WRP3.15保护了域31及之后的所有域。显然,擦除选项字节将导致解除主存储块的写保护。

选项字节与它的寄存器映象 
我们知道,FPEC有两个寄存器存储了选项字节的映象。那么,选项字节本体(在FLASH中)与映象(在寄存器中)究竟有什么区别呢? 
选项字节的本体只是个FLASH,它的作用只是掉电存储选项字节内容而以,真正起作用的是寄存器中的映象。即,一个配置是否有效,不是看本体,而是看映象。而映象是在复位后,用本体的值加载的,此后,除非复位,映象将不再改变。所以,更改本体的数据后,不会立即生效,只有复位加载到映象中后,才会生效。 有一点要注意的是,当更改本体的值,使主存储块读保护变为不保护时,会先擦除整片主存储块,然后再改变本体。这是唯一一个改变本体会引发的动作。但即使这样,读保护依然要等到复位后,加载到映象后,才会解除。 
  
关于FLASH编程手册中文版的几处错误(不一定是,但是与我的理解不符)

1.选项字节编程一节中: 
对FPEC解锁后,必须分别写入KEY1和KEY2(见2.3.1节)到FLASH_OPTKEYR寄存器,再设置FLASH_CR寄存器的OPTWRE位为’1’,此时可以对选项字节进行编程 
实际上,对FLASH_OPTKEYR写入KEY1和KEY2后,OPTWRE位会被硬件置1,而不是用软件写1。这一点在后面的寄存器描述中也可以得到验证。 2.对读保护的描述中: 
对读保护的数值对无法理解。正确的应该是,RDP为RDPRT键值时,解除读保护,为其它值时,读保护生效。



看了半天,原来只要几句就可以解决,当然是不考虑其他功能,只是简单的读写操作。
其中写操作如下:
     FLASH_Unlock();  //解锁FLASH编程擦除控制器
     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
     /*********************************************************************************
          //               FLASH_FLAG_BSY            FLASH忙标志位
          //               FLASH_FLAG_EOP            FLASH操作结束标志位
          //               FLASH_FLAG_PGERR            FLASH编写错误标志位
          //               FLASH_FLAG_WRPRTERR       FLASH页面写保护错误标净         
     **********************************************************************************/
     FLASH_ErasePage(FLASH_START_ADDR);     //擦除指定地址页
     FLASH_ProgramHalfWord(FLASH_START_ADDR+(addr+i)*2,dat); //从指定页的addr地址开始写
     FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
     FLASH_Lock();    //锁定FLASH编程擦除控制器

从上面可以看出基本顺序是:解锁-》清除标志位(可以不要)-》擦除-》写半字-》清楚标志位(也可以不要)-》上锁。其中FLASH_START_ADDR是宏定义的0x8000000+2048*255,0x8000000是Flash的起始地址,2048是因为我用的是大容量芯片,根据上一笔记Flash地址可以看出芯片每页容量2K,即2048字节,255表示芯片的最后一页,这个根据不同芯片而定。之所以从后面页写起可以防止储存数据破坏用户程序。addr*2是因为每个数据占用2字节(半字),虽然写入的是1字节数据,但是编程是2字节为单位,也就是说一个字节的数据也会占用两个字节地址。

读操作如下:
    u16 value;
    value = *(u16*)(FLASH_START_ADDR+(addr*2));//从指定页的addr地址开始读

以上内容来自:http://www.stmcu.org/module/forum/thread-604344-1-1.html

楼主可以参考一下。


专家
2017-01-30 17:26:44     打赏
4楼
百度搜索的,希望能帮到你。

共4条 1/1 1 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]