| 3 仿真结果与分析 对图3PTAT产生电路进行仿真，可以得到图6仿真结果。  从图6仿真结果可以看出，流过M1管的漏电流与温度成正比，αI/αT△0.6. 对图5基准电压源电路进行仿真，可得如图7所示结果。通过对图7分析可知，在25℃时，基准电压源的电压约为1.094.04 V,在整个温度范围（-40~80℃）内，其温度漂移系数为6.12 ppm/℃，满足高精度基准电压源的设计要求。  4 结 语 在此，基于SMIC 0.18μm CMOS工艺，采用一阶温度补偿作为基准电压补偿，提出一种新颖的PTAT电流产生电路结构，以对二极管连接的NMOS晶体管的阈值电压进行补偿，得到一个高精度基准电压源。该电路占用芯片面积小，精度高，可移植性强，非常适用于当今高精度的A/D,D/A和高精度运放偏置电路。此电路已成功应用于某款高速DAC芯片中。 |
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[经验]一款高基准电压源的设计方案2
关键词： 一款 高基准 电压源 设计 方案
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