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ASEMI快恢复二极管US1G参数：
型号：US1G
最大重复峰值反向电压（VRRM）：400V
最大有效值电压（VRMS）：280V
最大直流阻断电压（VDC）：400V
最大平均正向整流电流（I(AV)）：1A
峰值正向浪涌电流（IFSM ）：30A
最大瞬时正向电压（VF）：1.3V
额定最大直流反向电流（IR）：5uA
典型的反向恢复时间（trr）：50nS
典型结电容（CJ）：20pF
典型热阻（RθJA ）：88℃/W
工作结温（TJ）：-55 to +150℃
储存温度范围（TSTG）：-55 to +150℃
US1G封装尺寸：
总长度：5.28mm
本体长度：4.6mm
引脚宽度：1.6mm
宽度：2.9mm
高度：2.62mm
US1G特征资料：
塑料包装有保证实验室可燃性分类94V-0
内置应力消除装置，非常适合自动放置
玻璃钝化芯片结
快速切换以实现高效率
高温焊接260 / 10秒
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