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电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 电源与模拟 » 碳化硅MOS(SiC)模块 选型介绍

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专家
2022-04-13 18:31:14     打赏
31楼

感谢分享


助工
2022-04-14 15:36:41     打赏
32楼

SiC MOS能够在要求高功率密度的应用中优化性能。


助工
2022-04-15 09:03:42     打赏
33楼

开关频率至少支持400KHz


专家
2022-04-15 09:08:39     打赏
34楼

了解了


助工
2022-04-18 14:15:27     打赏
35楼

支持高开关频率(开关频率至少支持400KHz


助工
2022-04-20 08:00:07     打赏
36楼

要求驱动器具有双路输出端口。


工程师
2022-04-20 19:42:04     打赏
37楼

学习到了


助工
2022-04-24 15:48:00     打赏
38楼

谢谢各位的鉴赏


助工
2022-04-28 09:11:05     打赏
39楼

将栅极驱动放置在紧邻 SiC MOSFET 的位置,以最小的走线长度将栅极回路电感降至最低。此外,这种做法还有助于使各并联 MOSFET 设计之间的共源极电感保持恒定。



助工
2022-04-29 17:41:47     打赏
40楼

卡脖子在半导体行业非常突出,AST的碳化硅MOS让您高枕无忧。


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