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电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 电源与模拟 » 碳化硅MOS(SiC)模块 选型介绍

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助工
2023-04-21 09:01:44     打赏
111楼

SiCMOSFET 具有理想的固有低寄生电容(CGD、CDS、CGS)。


助工
2023-04-28 10:45:24     打赏
112楼

适用高温、高频应用,超低损耗


助工
2023-05-04 15:02:12     打赏
113楼

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。


助工
2023-06-01 09:10:38     打赏
114楼

SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单


助工
2024-06-27 11:29:41     打赏
115楼
碳化硅MOS(SiC)模块 选型介绍



助工
2024-10-11 08:53:44     打赏
116楼

碳化硅MOS驱动原理图以及栅极驱动器-电子产品世界论坛  https://forum.eepw.com.cn/thread/362629/1


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