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       深圳圳爱仕特科技专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士共同组建的高科技技术创新性企业。

      公司拥有全自主知识产权，已申请29项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，并建立起车规级的SiC MOS模块工厂，可为客户提供整套应用解决方案。产品已大量出口欧洲和美国客户。

注：  部分投资股东介绍

      爱仕特是国内首家量产六英寸SiC MOS的厂家，晶圆流片良率高达91%。其SiC MOS芯片最高耐压3300V，单芯片最大电流可达120A，最低内阻15毫欧，高雪崩耐量，100% UIS测试，并按照AEC-Q101标准测试，满足车规级要求。SiC MOS模块的结温高达175℃，正温度系数，采用氮化铝绝缘基板，有较高的导热性和绝缘性，集成负温度系数传感器，绝缘电压达2.5KV，其中的第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗。

主要产品及亮点

SiC MOS芯片

● 全系列采用6英寸晶圆量产

● 最高耐压3300V

● 最低内阻15毫欧

● 高雪崩耐量，100% UIS测试

● 满足车规级要求：按照AEC-Q101标准测试

SiC MOS模块

● 最高结温175℃

● 正温度系数

● 氮化铝绝缘基板

● 直接水冷散热

● 集成负温度系数传感器

● 2.5KV绝缘电压

应用

消费电子，手机快充，家用电器，医疗设备，环保节能，国防军工，新能源发电，新能源汽车，轨道交通，5G通信，智能电网，OBC充电桩等领域。

碳化硅产品手册.pdf