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负载开关电路MOS管国产使用推荐，什么类型的型号参数更适合？

为什么要探讨负载开关电路的MOS管使用呢？因为负载开关作为通用功率开关器件，已经从以前的汽车工业发展至PDA、手机、数码相机等便携式电子产品中使用了。在消费电子领域已经是占据重要的使用。

因此我们需要恰当的选用负载开关电路中的MOS管才能保证产品在使用中的可靠性。

今天飞虹电子整理一份2022年最新的负载开关电路电路可使用的国产MOS管合集，供广大电子工程师参考。

目前国产MOS管中，最新可应用于负载开关电路电路的场效应管型号为：FHD80N06B、FHD100N03D、FHD150N03C、FHD120N7F6A，以上4款产品都是可以应用于负载开关电路电路中的。

最终如何选择对应每一款负载开关电路呢？这当然是需要结合MOS管的实际参数数据，以及实测的情况：

1、FHD80N06B场效应管

具有80A、60V的电流、电压，RDS(on) = 6.2mΩtyp) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS热阻测试，一致性高，高可靠性，开关速度快，低导通内阻RDS(on)，低Crss。

FHD80N06B的封装形式为TO-220。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：80A；BVdss（V）：60V。

最大脉冲漏极电流（IDM ）：320（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为6.2mΩ、反向传输电容：240pF。

2、FHD100N03D场效应管

作为N 沟道增强型场效应晶体管，其产品参数：其产品参数：具有100A、30V的电流、电压，RDS(on) =7.0mΩmax) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，100% EAS测试，100% Rg测试，100% DVDS测试，极低的FOM(RDSON*Qg)，高雪崩耐量，可靠性高。

FHD100N03D的封装形式是TO-252。这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：1-2.5；ID（A）：100A；BVdss（V）：30V。最大脉冲漏极电流（IDM ）：100（A）；静态导通电阻：在（VGS =10V , ID=30A）状态下（typ）= 3.8mΩ、（max）=5.5mΩ，在（VGS =4.5V , ID=20A）状态下（typ）= 5.1mΩ、（max）=7.0mΩ；反向传输电容：195pF。

3、FHD150N03C场效应管

这款产品参数：Vgs（±V）：20；VTH（V）：0.8-2.5；ID（A）：150A；BVdss（V）：30V。

最大脉冲漏极电流（IDM ）：600（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为2.2mΩ、VGS=4.5V则为2.8mΩ；反向传输电容：405pF。

4、FHD120N7F6A场效应管

最高漏极－源极直流电压为70V，在TC=25℃下，其连续漏极电流为120A，在TC=100℃下，其连续漏极电流为80A。

最大脉冲漏极电流（IDM ）：480（A）；静态导通电阻（typ）：VGS=10V则为5.4mΩ；反向传输电容：24pF。

以上4款MOS管型号：FHD80N06B、FHD100N03D、FHD150N03C、FHD120N7F6A的型号参数数据均通过实际进行测试得出，具体在负载开关电路中的使用，建议开发工程师进一步取样测试。毕竟不同的性能以及需求对应要选择的MOS管还是会有差异的，详细参数规格表可登陆“飞虹电子”****。

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