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PFC技术大量采用 碳化硅MOS
第三代半导体国产碳化硅MOS
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。
SiCMOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单
碳化硅MOS驱动原理图
SiC MOSFET栅极驱动