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一、Si MOSFET和SiC MOSFET的导通区域
传统Si MOSFET在两个状态之间快速切换工作，切换电压就是VTH，当VGS小于VTH时，器件处于阻断状态，此时VDS是高阻，ID电流为0，当VGS远大于VGS后，MOSFET将处于饱和区域，RDS变为接近最小的导通阻抗，ID是最大的电流状态，这时器件是充分导通的。
对于Si MOSFET，其线性区和饱和区是非常分明的，当VGS电压大于VTH时，逐步由线性区移到饱和区，此时RDS是一个较小的电阻，在过渡阶段ID电流和VGS电压的比值比较大。
也就是说，如下式中表示的，较小的VGS电压变化，会产生较大的Id变化，这个比值称为跨导。所以说，Si MOSFET的跨导是比较大的，同时它也是MOSFET的输出到输入的增益。

这里我们通过一个典型的Si MOSFET及SiC MOSFET的VDS和Ids电流关系曲线，来理解其导通特性，如图1所示：
图1：Si及SiC MOSFET的导通特性比较
在图1中，红色曲线为Si MOSFET的输出I-V特性曲线，而黑色曲线为不同VGS下，SiC MOSFET的I-V特性曲线。
对于Si MOSFET来说，如图1中，红色曲线，在VGS大于VTH时，经历一个高增益的线性区，I-V特性非常陡峭，而VGS足够大时，其I-V特性基本是平坦的，最大电流ID变化不大，所以说Si MOSFET在饱和区是一个非理想的电流源。
而对于SiC的I-V曲线来说，它是没有饱和区的，它更像一个电压控制的可变电阻，而不是非理想电流源，所以，它的跨导gm增益比较小，以如下式来确定其电压VGS和电流ID关系，若要提高导通电流，只能提高其门级驱动电阻VGS。

我们以两个运行点为例进行说明，同样是20A的负载电流，一个是VGS为14V的运行I-V曲线，从曲线上读出对应的VDS电压为8.75V，则可以求出其导通电阻RDS为438mohm，如下式表示：

另一个点为VGS为20V的运行I-V曲线，从曲线上读出对应的VDS电压为3.75V，则可以求出其导通电阻为188mohm，如下式表示：

从上述计算结果来看，VGS为12V的导通电阻是VGS为20V时的导通电阻的2倍以上，这对于导通损耗来说是非常不利的。
那么我们最终得出一个结论，比较优化的SiC MOSFET导通门级电压是在18V-20V区间内。当采用较低的VGS门级电压时，较大的导通电阻将产生较大的热损耗，很容易导致热应力的问题。
二、Si及SiC MOSFET的导通电阻温度系数
对于SiC MOSFET来说，施加一定的Vgs电压，其单位面积的导通阻抗是比较小的。总的来说，其导通阻抗包含三部分，RCH沟道电阻是较熟悉的部分，它是NTC负温度系数的特性；而另外两部分阻抗，分别为JFET电阻RJ，漂移区电阻RDRIFT，这两部分阻抗为PTC正温度系数特性。
图2：SiC MOSFET导通电阻和结温关系
从图2来看，当VGS较低时，如VGS为14V，导通电阻和温度关系呈现抛物线形式，随温度变化阻抗先减小后增加，而当VGS较大时，如大于18V时，则导通电阻和温度关系是正向比例形式，它的PTC特性占主导地位。
相对于SiC MOSFET随VGS电压变化，其阻抗的温度系数变化较大，而传统的Si MOSFET，一旦VGS大于VTH，整个VGS工作区间其温度系数都是PTC特性。因此，大电流应用时的器件并联比较容易。
所以经过上述分析，对于SiC MOSFET来说，为了尽可能减小其导通电阻，我们通过提高VGS到18V-20V之间以便得到较大的ID电流能力。同时，为了可以得到PTC正温度系数的阻抗特性，也要求VGS电压达到18V-20V以上的电压。这样在SiC MOSFET并联应用时，就可以像Si MOSFET一样自然平衡各个SiC MOSFET电流。
相反，如果以较低的VGS电压去驱动并联的SiC MOSFET，则容易由于NTC的温度特性占主导，从而导致热应力大的问题及由于电流不均导致的热失控问题。
总结，SiC MOSFET作为新型的宽禁带功率器件，我们注意到其优越的特性之外，同时也要注意它和传统Si MOSFET的特性不同之处，导通阻抗就是一个非常重要的方面。