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继故障①“当二次侧MOSFET立即关断时”、故障②“当二次侧MOSFET在轻负载时因谐振动作而导通时”之后，本文将介绍故障③“当VDS2受浪涌影响超过二次侧MOSFET的VDS耐压时”的对策及其注意事项。

故障③：当VDS2受浪涌影响超过二次侧MOSFET的VDS耐压时

当发生浪涌时，受其影响，二次侧MOSFET的VDS2可能会超过MOSFET的VDS的耐压。这将会导致施加超出MOSFET额定值的电压，可能会造成误动作，甚至可能会引发MOSFET的劣化或损坏。当发现有这种现象时，必须采取措施。

对策

针对这种故障③的对策有三种左右，但与故障①和②一样，各对策都存在需要权衡的注意事项。下面是对策及其注意事项一览表。

※针对故障③，使用编号“对策③-n”来表示其对策。

●对策③-1：在二次侧MOSFET的漏极－源极间插入电容

通过在二次侧MOSFET的漏极－源极间插入电容器CDS2，可缓和VDS2的过冲。CDS2的可选范围为1000pF～6800pF左右（参考值），需要通过确认对策效果来选择最佳的电容。下图是CDS2在电路图上的插入位置和实施对策后的波形。

※注意事项：在发生谐振的区域（无负载～轻负载）插入的电容会导致效率变差，因此需要进行特性确认，在过冲的缓和程度和效率之间找到折中方案

●对策③-2：加大一次侧MOSFET的栅极阻值

通过加大一次侧MOSFET M1的栅极电阻RGATE1的值，延迟VGS1的上升时间（使之迟缓），可抑制急剧上升带来的浪涌，从而抑制二次侧VDS2的过冲。下图是表示RGATE1和对策后效果的波形图。RGATE1的值为10～470Ω左右（参考值）。

※注意事项：加大RGATE1的值可导致效率变差，另外一次侧MOSFET M1的发热量可能会增加，因此需要进行特性确认。这也需要针对效率、发热量及减少过冲之间的情况进行权衡调整。

●对策③-3：减小变压器的匝比Ns/Np

可通过减小变压器的匝比来使VDS2的振幅衰减。

※注意事项：虽然VDS2会衰减，但一次侧MOSFET的VDS1反而会变大（参见对策实施后的波形图）。因此，需要调整变压器的匝比，以确保VDS1不超过一次侧MOSFET M1的VDS额定值。

可能会发生的故障示例及其对策和注意事项的介绍到此结束。