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R4电阻，D1二极管，C6电容是尖峰吸收电路，因为是电阻电容二极管组成的电路，简称RCD吸收回路。那么为什么要加尖峰吸收回路呢，是因为要保护MOS管过压击穿，把峰值电压限制在MOS管耐压之内。这样MOS管就可以安全地工作了，那么它是如何工作的呢。

由于变压器制作会有一定的漏感，什么是漏感呢，是变压器的匝比和绕制线圈产生的，在变压器工作时初级能量不能完全转移到次级，那么由于电感断电会产生反电动势的原因，产生反向电压与电源电压的叠加产生电压尖峰，此电压就会超过MOS的耐压值，击穿MOS管。

所以就需要加入尖峰吸收回路，在变压器初级线圈中，为了可以吸收线圈产生的反向电动势，加入了RCD吸收回路，RCD工作过程，当MOS管导通，电压流过变压器初级线圈，对线圈充电，当MOS管关闭后，电感产生反电动势，变压器次级通过二极管输出电压，由于初级线圈有漏感，不能全部转移到次级，多余的能量就会和电源电压叠加，产生尖峰电压，尖峰电压通过二极管D1对电容C6充电，在MOS再次导通时，电容C6上的电压通过电阻R4放电，把多余的能量通过电阻消耗掉，RCD的一个工作周期完成，继续循环下一个周期。

此处二极管选择快恢复的二极管，电阻和电容根据电路调试后确定参数，电阻取值大小，吸收能量越大，会影响效率，它们的目的是消耗电路中产生多余的能量，不能消耗电路本身的能量，这样影响到初级的电动势，转移到次级的电动势就少了，减少了转换效率。电阻取值太大，在放电时，放电速度慢，尖峰电压会下降得慢，尖峰电压会超过MOS管的耐压，造成MOS管击穿。所以电阻的取值是在电路调试中选择的，调试时要用示波器看MOS管D极的波形，可以明显看到尖峰电压，改变电阻就可以改变尖峰电压了，电容也可以改变尖峰电压的大小，和电阻配合使用，最终目的是，吸收尖峰电压，多余的能量，不能消耗电路能量。

吸收电路有三种，一种是RCD，一种是TVS瞬态抑制二极管加快恢复二极管组成，还有一种是稳压二极管和快恢复二极管，它们其中各有有优缺点，RCD电路用的比较多，后两种也经常见到。

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