如附件的电路图，开始时MOS管处于关断状态，电容电压为０Ｖ。当MOS的gate突然加一个15V的高电压，电容C1开始充电，电压上升，即MOS管的DS电压开始从400V下降到0V的过程中，Vds>Vgs-Vth,MOS工作于线性恒流区，电流峰值被MOS管限制在5A左右（如图3的Id电流与Vds关系），脉冲电流宽度8us，这个时候的单脉冲能量近似为E=U*I*t=400V/2*5A*8us=8mJ,
请问MOS管中有什么参数能够评估MOS能不能承受这样的瞬间能量？
谢谢各位前辈！！
 我要赚赏金打赏帖 |
|
|---|---|
| 片外存储Flash使用方法(Arduino IDE环境)被打赏￥22元 | |
| 三分钟快速上手ESP-NOW(ArduinoIDE环境)被打赏￥23元 | |
| 【S32K3XX】LPSPI参数配置说明被打赏￥21元 | |
| 在WT9932C61-TINY上实现超声波测距被打赏￥22元 | |
| 基于WT9932C61-TINY的环境构建及OLED屏驱动测试被打赏￥20元 | |
| 【S32K3XX】Core-to-Core 中断使用被打赏￥21元 | |
| 「AI编程记录--含源码」用一晚上的时间写一个esp32的示波器被打赏￥19元 | |
| STM32C0116DK开发探索记（3）被打赏￥30元 | |
| STM32C0116DK开发探索记（2）被打赏￥24元 | |
| STM32C0116DK开发探索记（1）被打赏￥29元 | |
STM32
MCU
通讯及无线技术
物联网技术
电子DIY
板卡试用
基础知识
软件与操作系统
我爱生活
小e食堂
