EEPW论坛

SiC 的介电击穿强度比 Si 高约 10 倍，耐压能力高达600V～数千 V。另外，与 Si 元器件相比，还可提高杂质浓度，实现更薄的漂移层。高耐压功率元器件的电阻分量大多是漂移层的电阻，阻值会与漂移层的厚度成正比增加。因为使用 SiC 可以实现更薄的漂移层，所以可制作单位面积的导通电阻非常低的高耐压元器件。理论上，在相同耐压条件下，SiC的单位面积漂移层电阻可低至Si的1/300。一直以来，Si 功率元器件主要使用 IGBT（绝缘栅双极晶体管）等少数载流子器件（双极器件）来改善提高耐压引起的导通电阻增加问题。但由于开关损耗大而存在发热问题，因此在高频驱动方面一直存在限制。而SiC则能使SBD和 MOSFET 等高速的多数载流子器件实现更高耐压，因此能够同时实现“高耐压”、“低导通电阻”和“高速”。

另外，SiC 的带隙是 Si 的 3 倍左右，能够在更高温度条件下工作。目前，受封装耐热性的制约可保证 150℃～175℃的工作温度，不过随着封装技术的发展，未来可能会支持200℃以上的高温工作。因此， 

1、SiC 的物理性质适用于功率元器件。

2、与 Si 半导体相比，SiC 在降低损耗和在高温环境下工作的特性方面具有显著优势。