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通过使金属与半导体 SiC 接触（肖特基结）来形成肖特基势垒。在结构上，SiC SBD 与 Si 肖特基势垒二极管（以下简称“Si SBD”）基本相同，不同点在于 SiC SBD 的工作速度更快。

SiC SBD 的特点在于不仅具有出色的高速性能，还实现了高耐压。而要想提高耐压，只要增厚图 3 中的 n-型层、降低载流子浓度即可，但这会带来阻值上升、正向电压变高等损耗过大无法实际应用的问题。因此，通常认为 200V 差不多是 Si SBD 的耐压极限。而 SiC 的介电击穿强度是硅的 10 倍，不仅能保持实际应用特性，而且还可耐高压。从图 3 所示的 Si SBD 的 n-型层和 SiC SBD 的 n 型层厚度示意图可以看出，SiC 即使厚度较薄也能够实现高耐压。