三极管,全称半导体三极管,也被称为双极型晶体管或晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
分类按材料分:硅管:电流增加速度快,漏电流小,反向耐压高,但导通电压较高。锗管:导通电压低,但电流增加速度较慢,漏电流较大,反向耐压较低。
按工作频率分:超高频管高频管低频管特征频率(ft)是表征晶体管在高频时放大能力的重要参数,即电流放大系数下降到1时的频率。
按功率分:小功率:<500mW中功率:500mW-1W大功率:>1W按结构分:NPN型:由两块N型半导体和一块P型半导体组成,P型在中间,N型在两侧。PNP型:由两块P型半导体中间夹着一块N型半导体组成,也可以描述为电流从发射极E流入的三极管。
工作原理三极管的工作原理基于小电流控制大电流的原则。在NPN型三极管中,给基极加一定的电流,可以控制集电极更大的电流(小电流控制大电流),从而实现对电流的放大。PNP型三极管的工作原理类似,但电流方向相反。工作状态
三极管主要有三种工作状态:截止状态:发射结反偏,三极管未导通,基极电流、集电极电流和发射极电流都为零。放大状态:发射结正偏,集电结反偏,此时三极管具有电流放大作用。饱和状态:发射结和集电结都正偏,集电极电流不再受基极电流的控制,而是达到最大值。功能与应用
放大功能:三极管最基本的作用是放大,将微弱的电信号放大成一定强度的信号。这种放大作用在放大器、功率放大器等电路中得到广泛应用。开关功能:三极管可以通过控制输入信号的高低电平,实现对电路的开关控制。这种开关功能在逻辑门电路、计数器、计时器等电路中非常重要。稳压功能:通过调整三极管的工作状态,可以使电路的输出电压保持稳定,在稳压电源、电池充电器等应用中发挥重要作用。重要参数
电流放大系数β:表示集电极电流与基极电流的比值,是三极管放大能力的重要指标。击穿电压:包括发射极开路时的集电极-基极击穿电压(Vcbo)、基极开路时的集电极-发射极击穿电压(Vceo)等,是衡量三极管耐压能力的关键参数。特征频率ft:表征晶体管在高频时的放大能力,随着频率的升高,三极管的放大能力会下降。三极管的类型
三极管的工作原理
三极管(晶体管BJT)的关键参数可以分为直流参数和交流参数两大类,这些参数对于理解和使用三极管至关重要。
直流参数直流参数主要描述三极管在直流工作条件下的特性。
集电极-基极反向饱和电流Icbo(Icbo):定义:发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流。特性:此值只与温度有关,在一定温度下是个常数。良好的三极管,Icbo很小,硅管比锗管更小。集电极-发射极反向电流Iceo(穿透电流):定义:基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。特性:Iceo大约是Icbo的β倍,即Iceo=(1+β)Icbo。Iceo是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定。
发射极-基极反向电流Iebo:定义:集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流。特性:它实际上是发射结的反向饱和电流。
直流电流放大系数β1(或hEF):定义:共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即β1=Ic/Ib。特性:是衡量三极管电流放大能力的一个重要参数。不同工作电流下,β值会有所不同。
交流参数交流参数主要描述三极管在交流信号作用下的特性。
交流电流放大系数β(或hfe):定义:共发射极接法,集电极输出电流的变化量ΔIc与基极输入电流的变化量ΔIb之比,即β=ΔIc/ΔIb。特性:一般晶体管的β值在10-200之间。β值过小,放大作用差;β值过大,性能可能不稳定。
共基极交流放大系数α(或hfb):定义:共基接法时,集电极输出电流的变化量ΔIc与发射极电流的变化量ΔIe之比,即α=ΔIc/ΔIe。特性:因为ΔIc<ΔIe,所以α<1。高频三极管的α>0.90就可以使用。截止频率fβ、fα:定义:当β或α下降到低频时的0.707倍时对应的频率。特性:它们是表明管子频率特性的重要参数。
特征频率fT:定义:频率f上升时,β下降,当β下降到1时对应的频率。特性:fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。在选用三极管时,一般要求管子的特征频率fT比电路的工作频率高出3倍以上。
三极管工作原理(以NPN型为例)NPN型三极管由两块N型半导体中间夹着一块P型半导体组成。当给三极管加上适当的电压时,会发生以下过程:发射极向基极发射电子:由于发射极掺杂浓度高,电子容易从发射极向基极扩散。电子在基极被复合和扩散:到达基极的电子一部分与基极的空穴复合,另一部分在基极电场的作用下漂移到集电极。电子被集电极收集:由于集电极面积大且掺杂浓度低,电子容易被集电极收集并导出,形成集电极电流。电流放大:基极电流的变化会控制集电极电流的变化,且集电极电流远大于基极电流,实现了电流的放大。特点:在这种状态下,由于发射结和集电结都反偏,发射区的自由电子难以扩散到基区,同时集电区也难以收集到电子,因此三个电极(发射极E、基极B、集电极C)的电流几乎为零。此时,三极管相当于一个断开的开关。
放大状态条件:发射结正偏,集电结反偏。特点:当发射结正偏时,发射区的自由电子能够扩散到基区,并在基区电场的作用下漂移到集电区。由于集电结反偏,集电区能够有效地收集这些电子,形成集电极电流Ic。此时,基极电流Ib的微小变化会导致集电极电流Ic的较大变化,实现了电流的放大。这是三极管作为放大器工作的基础。
饱和状态条件:应为“发射结正偏,集电结正偏”的表述有误,实际上在饱和状态下,虽然发射结仍然正偏,但集电结并不是正偏,而是由于集电极电流Ic的增大使得集电结上的电压降低,接近于零偏或微偏状态。特点:在饱和状态下,随着基极电流Ib的继续增大,集电极电流Ic并不会无限增大,而是会达到一个饱和值并保持不变。这是因为当Ic增大到一定程度时,集电结的电压降非常低,几乎无法再提供足够的电场来加速电子从基区漂移到集电区。此时,三极管相当于一个闭合的开关,但其电阻并不是零,而是具有一定的饱和电阻。选择三极管:首先,选择一个合适的NPN型三极管,2N2222、2N3904等,这些三极管在通用电路中非常常见且易于获取。
连接电路:发射极(E):连接到LED的负极(阴极)和地(GND)之间。如果LED需要限流电阻,则电阻应串联在发射极和LED之间。基极(B):通过一个适当的电阻连接到控制信号(微控制器的GPIO引脚)。这个电阻用于限制基极电流,保护三极管和控制器引脚。集电极(C):连接到LED的正极(阳极)和电源(3.3V)之间。限流电阻:在LED的负极和发射极之间串联一个限流电阻,以防止LED因电流过大而损坏。限流电阻的阻值取决于LED的额定电压、额定电流以及电源电压。
示例电路假设LED的额定电压为2V,额定电流为20mA,电源电压为3.3V,则限流电阻R的阻值可以通过欧姆定律计算:实际中,可以选择最接近的标称值电阻,68Ω。电平转换电路使用三极管实现电平转换电路时,通常涉及到逻辑电平的取反。这是因为三极管在饱和和截止状态下,其集电极和发射极之间的电压差(Vce)会发生变化,从而可以用来表示不同的逻辑电平。
电路设计
NPN型三极管电平转换:当基极接收到高电平时(相对于发射极),三极管饱和,集电极被拉低到接近地电位,表示逻辑低。当基极接收到低电平时,三极管截止,集电极通过上拉电阻连接到高电平(VCC),表示逻辑高。总结:
三极管作为半导体器件,在电子电路中扮演着重要角色。它按材料、频率、功率和结构分类,具有放大、开关和稳压等功能。其核心在于小电流控制大电流的能力,通过调整基极电流来放大集电极电流。关键参数如电流放大系数β、击穿电压和特征频率ft,决定了三极管的性能和应用场景。在驱动LED电路中,三极管能增强驱动能力,保护LED。三极管也常用于电平转换,实现逻辑电平的取反。正确理解和应用三极管的参数及工作原理,对于设计高效、稳定的电子电路至关重要。通过合理的电路设计和参数选择,可以充分发挥三极管的性能优势,满足各种电子应用的需求。