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    我们EE工程师使用mos管子，一般都是用来做开关用，因为他可以实现小电压控制大电压，没有或者漏电流很小的特性。但是mos管也可以实现信号的放大，今天我们重点看看mos管当做开关，其参数对于整个电路的影响。

    对于mos管，我们先看看大致使用范围：

这里面的mosfet，igbt以及gan是不是都比较熟悉，这其实都是场效应管里面的一个分类。

在我们实际电路中，经常使用增强型nmos和增强型pmos，相信大家对二者的区别已经很了解，现在我们用nmos来说明，如果感兴趣，下一篇说说pmos。

我们课本上经常见到的nmos电路如上，控制g的电压在一定范围，可以实现mos管在不通的导通状态。

在mos管规格书中，我们会看到vgs和rds曲线图：

从上面可以看出来，vgs电压越大，rds越小，I的越大，Rds越大。因此在使用的时候，vin尽量接近vgsth，还要注意Id的大小，这样可以减小mos本身的发热，保证电路的稳定。曾经在调试一个电路，发现mos导通后电压和理论分析不一致，最后升高vg的电压才满足需求，就是因为前端分压太多没有让mos进入完全导通状态。

这个图片显示vgs和温度的关系，在使用mos管的时候，一定要注意温度和散热，如果忽略这个，长时间运行可能出现芯片损坏的情况。

mos管的Is，Ism来体现他能承受的电流和脉冲电流，trr体现他的快速恢复时间。这几个参数在使用中也需要注意。

至此，mos管的关键参数我认为差不多了。

对此，你还认为那个参数关键，下面我们来沟通。