介绍
在高约束芯片上与亚微米波导上耦合光的两种主要方法是光栅或锥形耦合器。[1]
耦合器由高折射率比材料组成,是基于具有纳米尺寸尖端的短锥形。[2]
锥形耦合器实际上是光纤和亚微米波导之间的紧凑模式转换器。[2]
锥形耦合器可以是线性[1]或抛物线性[2]过渡。选择Silicon-on-insulator(SOI)技术作为纳米锥和波导的平台,因为它提供高折射率比,包括二氧化硅层作为光学缓冲器,并允许与集成电子电路兼容。[2]
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