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简介：

GD32VF103产品系列主频高达108MHz，支持高达128KB Flash和32KB SARM。还集成了 USART+UART、I2C、SPI、CAN2.0B、USB FS、I2S、EXMC（外部存储器控制器）以及其他数字和模拟外设资源。GD32VF103 产品系列提供 QFN36、LQFP48、LQFP64 和 LQFP100 封装选项。

从上述图例可以看出N200系列内核对标的ARM M0/M3/M4 的内核,以下为官方在IAR 108MHZ 下运行在DDR中的跑分结果数据。

本地使用gcc O3选项编译，flash 运行代码跑分结果为283 分跟官方的数据结果还有差距，官方数据运行在DDR IAR 的组合，后续在查看下代码是否有继续优化的开启来尝试提高跑分结果。

从以上跑分数据和arm 阵营的M0 M0+ 算是一个梯队的和M23 的数据接近，这个跑分数据如果放在RAM等资源中运行数据应该可以进一步提升，查看芯片的手册芯片也没有cache/浮点运算单元可以开启提升跑分数据，暂未发现可以在flash xip 运行进一步提升跑分结果的手段。