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光伏及击穿，都可视之为 复合的逆过程，

但是，复合、光伏与击穿，不单是进程的方向相反，偏置状态也不一样，

复合的工况，是正偏，光伏是零偏，击穿与漂移则是反偏，光伏的能源是外来的，而击穿消耗的是结区自身和电源的能量，

漂移的载流子是 客席载流子，须借外延层才能引入，客席载流子 不受反偏PN结的空乏区阻碍，能漂不能漂，只取决于反偏PN结是否处于外延层的「射程」范围，

而穿通的成因，则是因空乏区的过度扩张，致使跟 端子、外延层或其他空乏区 碰触，当耗尽层融通，耐压 (反向阻断能力) 即告彻底丧失，空乏区的扩张是需要力气的，所以，穿通只能在尚未击穿的状态下才能发生，倘若击穿在先，空乏区压降就被自我钳位，耗尽层就无法继续扩张。

右边这货，其实就是 肖克莱二极管 的原理性结构示意图及正向转折后的实际情况，

如果集电结的掺杂足够重，这只肖克莱二极管就会变成 高压硅堆，金属如果作为芯片的引线，就必须欧姆接触，半导体之间究竟能否实现欧姆接触我不晓得，但让反向阻断能力全失是可以的，不过，掺杂还是不要重得搞出个隧道效应来为妙，如果没有隧道效应，那就是〖反向二极管〗，接收极弱讯号甭加偏置。

亮绿色的那根线，代表的是 PN结的物理结面，可以见到，这PN结已非原理层级，而是有实际结构的范儿，结面区是轻掺杂，端子区则是重掺杂，为甚么要这样玩呢，因为，在足以成结的前提条件下，掺杂愈轻，耐压愈高，但实体电阻也愈大，耗尽层的胀幅也愈大，为免穿通的发生，端子得距离结区足够远，PN结才能安全地施展二极管的效能，重掺杂的外延层能减小端子段的电阻，但我怀疑此举真能增加端子跟结区的等效距离不？！ 

那根亮绿线代表的，其实不仅止于物理结面，而可以是 本征层或量子阱，光伏电池及发光二极管就需要 量子阱与复合中心，给载流子提供 集中的复合或拆分之处，並且规划吸收或发放的额定光谱； 而作为射频开关或调制用的二极体，或超高耐压BJT的集电结，则此亮绿线就是本征层 (I区)，这样的结构就是 PIN二极管，此 I 层並非作隧穿效应之用，而是提高PN结反向耐压的强化层，所以不可太薄。