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SDRAM值不能修改，FLASH无法烧写，求救于各位大侠！
小弟近日自己画了一块S3C44B0X的板子，配置如下：
CPU:44B0X
SDRAM:HY57V641620 (nGCS6)
FLASH:E28F128J3A (nGCS0)
使用的是wiggler的板子+ARM7调试代理+ADX
问题如下：所有连线和焊接都以检查过了，无短路和虚焊现象。10M晶振、32.768K晶振都以

起振。
电源供电正常，使用ARM7调试代理可以检测到“ARM7TDMI”字样

使用FLASHPGM可以读到FLASH ID，可以擦除，可以读到Target Memory，但是就是不能烧写，

一烧写，很久进度条都没有动静，过一会弹出错误提示：sequence aborted。Fill也不行，

报错Address 00000000 Failed to program。

Erase后再读Target Memory，全FF，但是烧写HEX文件老出错，进度条根本就没有出现，但报

错后，再读Target Memory，可以发现头两个字节不是FF，而是别的值了，但其他的单元还是

FF。

在AXD里命令行敲入obey 44b0.ini，
44b0.ini内容如下：
setmem 0x01C80000,0x11110101,32
setmem 0x01C80004,0x00000600,32
setmem 0x01C80008,0x00007ffc,32
setmem 0x01C8000C,0x00007ffc,32
setmem 0x01C80010,0x00007ffc,32
setmem 0x01C80014,0x00007ffc,32
setmem 0x01C80018,0x00007ffc,32
setmem 0x01C8001C,0x00018000,32
setmem 0x01C80020,0x00018000,32
setmem 0x01C80024,0x0086060e,32
setmem 0x01C80028,0x10,32
setmem 0x01C8002C,0x20,32
setmem 0x01C80030,0x20,32
然后打开Memory窗口，输入地址0x0c000000(SDRAM的起始地址)，全FF，无法修改任意一个单

元的值，但是内部SRAM可以修改（输入地址0x10000000，内部cache的起始地址，可以修改任

意一个单元）

困惑了好几天了，还请各位大侠帮忙分析分析是哪里的原因～现在SDRAM不能用，FLASH也烧

不了，没法调程序啊！！！！先谢过各位了。。。。