Spansion公司宣布，在其位于美国奥斯丁的Fab 25 “百万级工厂(MegaFab)”批量生产的110纳米浮门技术产品在该工厂的总产量中已经超过50%。Spansion公司预计，到今年年中时，该工厂生产的几乎所有产品都将采用110纳米技术。Spansion的第二个百万级工厂―位于日本Aizu-Wakamatsu的JV3工厂―预计将于2004年下半年开始采用110纳米技术。 “Fab 25工厂的110纳米浮门生产线已经产生了远远超出预期的产量，并且接近了成熟技术在全力生产时的产量”，Fab 25工厂的副总裁Randy Blair表示，“由于产量出众且投入生产的速度远快于预期，我们将能加速实现Spansion闪存生产能力翻倍。” 今年三月，Spansion公司宣布开始批量生产110纳米的浮门产品，据称它标志着整个行业在商用NOR闪存生产方面首次突破130纳米瓶颈。 Spansion公司是在2003年，由AMD和日本富士通公司的闪存部门合并而成，AMD和富士通目前在全球提供Spansion闪存解决方案。Spansion闪存产品的应用领域包括无线设备、移动电话、汽车、网络、电信及消费电子产品等。 Spansion闪存产品系列包括采用MirrorBit技术的闪存、可同时进行读写操作(SRW)的闪存系列、1.8伏的超低电压闪存产品、以及脉冲串与分页模式芯片。