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　在即将召开的“2006年IEEE国际固体电路会议（ISSCC 2006）”上，将会有结构独特的CMOS传感器进行发表。比如，索尼的传感器采用了和普通方法相反、向没有布线层的一面照射光线的背面照射技术（演讲序号：16.8）。可将开口率（光电转换部分在一个像素中所占的面积比例）提高至近100%。 　　试制的CMOS传感器像素间隔为3.45μm，在采用背面照射技术的产品中较小。与不使用背面照射技术时相比，对于550nm的光线，感光度提高了34%。设计工艺为0.25μm，包括1层多晶硅和3层布线层。另一个特点是配置布线的位置自由度较大。 　　而日本东北大学和日本德州仪器组成的研究小组使CMOS传感器的动态范围（1帧内可拍摄对象的照度范围）逼近极限（演讲序号：16.7）。具体约为10-2lx～108lx，按对数换算约为200dB。 　　CMOS传感器上没有设计调节光量的光圈。为了积蓄在强光射入时所产生的电荷，在光电转换部分的旁边设计了电容器。假如是普通结构，这些电荷就会溢出。样品的像素间隔为20μm。总像素数为4096。设计工艺为0.35μm，多晶硅2层，布线层3层。