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[原创]NV-SRAM非易失性存储器
成都国腾微电子推出的GM2101、GM2103、GM2104、GM2105、GM2106、GM2107等NV-SRAM芯片完全兼容DALLAS的NV-SRAM非易失性存储器(DS1230、DS1245、DS1249、DS1250、DS1265、DS1270)，广泛应用于三表远抄的数据采集器、税控机、POS机、税控加油机、电力电表、水表、楼宇对讲门口机、停车咪表等各种掉电需要保存数据的场合。
其产品特性如下：
*具备独特的自动延时上电保护功能
*内置大容量优质锂电池，在没有外部供电的情况下数据可以持续保持10年以上
*在掉电的瞬间数据自动被保护
*完全替代相同容量的易失性SRAM
*无限次读写
*超低功耗CMOS 技术
1. *读写时间为45ns-70ns
*宽范围工作电压
*完善的工业级和商业级型
*优质进口ABS 外壳
*优质进口环氧树脂封装
*纯铜镀锡针脚保证焊接和插接可靠，长时间存放不氧化
*具有良好兼容性，可完全替代同类产品.
GM 系列NV-SRAM 可提供32kb 至16Mb 的存储容量，存取时间最高可达45ns，产品质量可靠，性能稳定，各项指标先进，性价比高。
http://www.gticc.com
028-87826167,028-87826165
关键词： 原创 NV-SRAM 非易 失性 存储器
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