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问 被主考官问蒙了！ 答 1: 看你应聘的职位一般不是半导体设计的职位我想你回答硅管PN结的特性应该可以了 答 2: 不一定是0.7V看是什么二极管吧．而且就算是硅管也不一定什么时候都是０.７V．先指出他的错误 答 3: 是应聘PCB LAYOUT的当时我也只是简略说明了一下硅管PN结的特性，
那主考官很不满意的样子，不停的问为什么是0.7V，而不是其他，
相当当初我们学模电，也没有详细的研究过这个问题，我也不是微电子的…… 答 4: 金属异质结、硅材料、锗材料的反向势垒都不一样甚至真空管原理都不同，并不一定是0.7v，再说不同的专业需要知道的东西也不一样，我猜测他想看看你是否还知道其他种类的二极管，你只要说这个问题本身就有问题应该就可以了，不过也不排除一些自满的主考，以难倒对方为乐。当然还有一些半瓶子的。
对电工来说，不需要知道固体物理的理论。 答 5: 硅二极管的正向压降为什么是0.7V????P型半导体的多数载流子是空穴,
N型半导体的多数载流子是电子.

P型半导体和N型半导体工艺结合在一起后,
由于两者的浓度差.
发生扩散:
P区空穴向N区扩散,
N区电子向P区扩散.        (漂移略去不提,参考书籍)

扩散到N区的空穴与电子组合,形成正离子,
扩散到P区的电子与空穴组合,形成负离子,
这样就形成一内电场,方向为:N区指向P区.
却出现PN结,

内电场的大小是多少???
内电场的计算公式是:
Vbi=k*T/e*ln(Na*Nd/ni2)=VT*ln(Na*Nd/ni2)
  注:ni2指ni的平方
Vbi为内电场强度,
VT=k*T/e:称为热力学电压,当T=300K时,VT=0.026V,(注;VT是一个变量,并不是V*T)
k为玻耳曼常数,
T为绝对温度,
e为电子电量,
Na和Nd分别是P区和N区中受主杂质(硼)和施主杂质(磷/砷)的浓度

一般硅型PN结(即硅二极管)在T=300K(室温)时:Vbi=0.757左右. (注意:是硅,不是锗)
因T的不同和工艺上的差异:Vbi有0.1-0.2V范围的差异.

而二极管要正向导通,
就必须有正偏克服内电场,
所以下向压降在0.7V左右.
(视不同的管:应说:视不同的每个管子,有所不同)

(详细内容请参考有差书籍) 答 6: 建议楼住旁听贾新章的课...建议楼住旁听贾新章的课... 答 7: 如果不是0.7伏，难道是0伏？被击穿的是0伏 答 8: rehehe
实际用的不一定0.7v的
跟理论还是有出入的

不信拿个测测 答 9: v--a特性曲线，还有0.5v，0.6v的可能哦v--a特性曲线，还有0.5v，0.6v的可能哦 答 10: 问题简单,却反映对细节知识的掌握,或许有些片面! 答 11: 二极管的导通压降不一定是0.7V肖特基二极管为0.3V，整流快恢复二极管的导通压降为2V左右。 答 12: 硅的带隙电压呵呵,这个考官估计是问的是硅的带隙电压吧.
每种元素都有不同的价带和导带,电子一般充满在价带中,受到激发跃迁到导带中.这个价带和导带的带隙就是禁带宽度,硅的是1.205V,在bandgap中利用的就是这个带隙电压,大致可以认为这个带隙电压是个不变的常数.
在经过lai832的那一番推导,最后所有的未知数都可以用最基本的几个物质的固有的数值代入.所以硅的pn结大致是0.7,而锗的就是另外一个常数了.
只有楼上几位说的偏差,就是实际工艺不同,以及选用不同材料做的.