EEPW论坛

问 我的系统：cpu :lpc2214, 设置如下

选择RELOUTCHIP ,设置如下
LDR     R0, =BCFG0
        LDR     R1, =0x10001440
        STR     R1, [R0]

        LDR     R0, =BCFG1
        LDR     R1, =0x10001440
        STR     R1, [R0]

        LDR     R0, =BCFG2
        LDR     R1, =0x000000440
        STR     R1, [R0]

        LDR     R0, =BCFG3
        LDR     R1, =0x10001040
        STR     R1, [R0]
BANK0 是SST39VF160,BANK1也是SST39VF160,BANK2是两个8位的ROM （两个片选通过CS2 和A23 来译码）。BANK3 是一个液晶。程序用RELOUTCHIP ,烧录一个16M 的SST39VF160 需5分钟，如果我将BANK0 设置快一个周期，比如（BANK0设成10000C20.则DEBUG时进入不了程序。



答 1: 选用DEBUG IN CHIPFLASH 设置而选用DEBUG IN CHIPFLASH ,设置如下： ;LDR     R0, =BCFG0
       ; LDR     R1, =0x10007ff0
        ;STR     R1, [R0]

        LDR     R0, =BCFG1
        LDR     R1, =0x10001440
        STR     R1, [R0]

        LDR     R0, =BCFG2
        LDR     R1, =0x00000440
        STR     R1, [R0]

        LDR     R0, =BCFG3
        LDR     R1, =0x10001040
        STR     R1, [R0]
        如果我将BANK1 设置快一个周期，写时会出错。但是选用DEBUG IN CHIPFLASH,烧录一个16M 的SST39VF160 只需35秒钟，为何片内与片外程序执行速度相差那么大？我该如何提高片外程序执行速度？

答 2: 换intel的flash 答 3: 换成INTEL 的哪种FLASH 呢？我想知道，片内和片外执行同一个程序执行时间相差这么大（5分钟和35秒）是否正常？是我哪里没设置对？
答 4: 好像intel的flash就一种只是容量不同而已。 答 5: 能不能这样做？系统一上电就将flash 中的代码放入lpc2214 的片内flash,此后再用片内的代码执行。具体怎么操作呢？ 答 6: 这么多人点击都没人说话。 答 7: ARM并没有想像中那么激动人心。高MHz数的RISC类处理器的性能很大程度上依赖CACHE。这就是为什么像TMS320VC5509这类处理器都需要把FLASH中的代码加载到片内的RAM中执行。你要非想让代码在外部FLASH中执行，那就找个有CACHE的ARM吧。 答 8: 我就是想用IAP 将外部的BANK0 的代码考到片内我就是想用IAP 将外部的BANK0 的代码考到片内的FLASH,可是程序不知怎么跳转。