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问 您帮帮忙了：NAND Flash ,Burst Flash,Compact Flash. 答 1: 我说NAND Flash ，容量大，但是协议复杂，只能页存储。通常用来做U盘等等。
Burst Flash,是用来存储启动代码的，可字节存储或页存储，读取的时候可以象普通的ROM一样。但是价格比NAND贵得多。
而Compact Flash是指CF卡，一种广泛使用在数码相机上的存储卡。其实里面是用了很大的NAND FLASH再加控制电路做成的。也有里面是硬盘的，不过只能叫用CF接口，但就不是FLASH 答 2: 谢谢你啊 答 3: 再请教那么一般我们常见的板子上所说的data flash是那其中指一种，还是另有所指。如：AT49VB6416 答 4: dataflashdataflash是串行SPI接口的，但是容量比较一般串行的大
具体可以看看datasheet 答 5: dataflashdataflash并口和SPI的串口都带,不过SPI接口是其主要特点,节省连线,带有数据缓冲,还可以做SPI和并口的转接 答 6: 9200可以 从NAND BOOT 吗 答 7: in:不可以直接从nand flash启动
答 8: 再问NAND Flash ，容量大，但是协议复杂，只能页存储。通常用来做U盘等等。
Burst Flash,是用来存储启动代码的，可字节存储或页存储，读取的时候可以象普通的ROM一样。但是价格比NAND贵得多，所以用来存放应用代码。
还没有人回答data flash在内部构成上与上述的多种flash之间有什么关系吗？
答 9: 还有NOR flash和NAND是一会事吧 答 10: Dataflash结构Dataflash 内部还是Nor Flash,但扇区的划分较小，方便数据的存储。外部的接口是SPI，并且片内有两个SRAM Buffer,方便写和擦除的操作。 答 11: 关于NOR和NAND网上有篇文件大家读读就知道见：http://www.techor.com/Article_Show.asp?ArticleID=448

补充一点：NOR Flash的特点就是并行线性的，这个特点决定了处理器的PC指针可以直接指向其空间地址，直接取指执行；而其他非线性的包括Nand flash，还有IIC或者SPI串行接口的都不具有把PC指针直接指向执行的能力。 答 12: NAND与NOR　　Flash Memory内部构架和实现技术可以分为AND、NAND、NOR和DiNOR等几种，但目前以NAND和NOR为主流。NOR技术是由Intel公司1988年首先推出，NAND技术是由东芝公司1989年发明。NAND技术在设计之初是为了数据存储应用，NOR则是为了满足程序代码的高速访问，并且支持程序在芯片内部运行。目前关于两种技术的发展前景讨论很激烈，各种观点很多。客观来看，二者各有优势和不足。NOR工作电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高；而NAND则写回速度快、芯片面积小，特别是容量大有很大优势。
　　页是NAND中的基本存贮单元，一页一般为512个字节，多个页面组成块。不同存储器内的块内页面数不尽相同，通常以16页或者32页比较常见。块容量计算公式比较简单，就是页面容量与块内页面数的乘积。 根据 Flash Memory容量大小，不同存储器中的块、页大小可能不同，块内页面数也不同。例如：8MB存储器，页大小常为512B、块大小为8KB，块内页面数为16。而2MB的存储器的页大小为256 B、块大小为4KB，块内页面数也是16。NAND存储器由多个块串行排列组成。实际上，NAND型的Flash Memory可认为是顺序读取的设备，它仅用8比特的I/O端口就可以存取按页为单位的数据。NAND在读和擦写文件、特别是连续的大文件时，速度相当快，但随机存取速度则比较慢，因为它不能按字节写。NAND型存储器的价格如今已经不算昂贵，512MB芯片单价在最近是4.39美元，且仍呈下降趋势。NAND Flash设备易有坏块，为了补偿可能存在的坏块，通常在设计、生产时在规定的存储容量外另附加约2%大小的额外存储空间。NAND Flash用一个控制器管理坏块，当出现坏块控制器将数据转移到预定空闲存储区间，该过程对用户是透明的。
　　NOR的存储构架与PC机中的内存条技术类似，是一种并行的构架。由于单个芯片的存储容量提高困难，整个NOR芯片的存储容量较同时期的NAND小。过去NOR多采用单层存储单元排列，如今Intel公司采用多层存储单元(multi-level cell)排列技术，以此提高单位面积存储器的容量。另外 Intel还计划采用提高芯片集成度的方法来提高NOR类型存储器的容量。NOR中多个存储单元是并行连接起来，可以允许特别快的实现随机字节访问。通常NAND在容量上占优势，NOR适合在容量要求小、但随机字节读写快的应用领域。
　　由于NOR和NAND在存储单元组织上的差异，二者的寻址方式差异较大。NAND的地址分为三部分:块号、块内页号、页内字节号。一次数据访问，NAND一般是经过三次寻址，先后确定块号、块内页号和页内字节号，至少占用三个时钟周期，因此随机字节读写速度慢。而NOR的地址线足够多，且存储单元是并列排布，可以实现一次性的直接寻址。另外，由于NOR的数据线宽度很大，即使容量增大，它的数据寻址时间基本上是一个常量，而NAND则比较困难。总之在数据传输速度上，NOR无论是在随机读取还是连续传输速度上都比NAND快，但相对而言，在连续大数据传输速度上，二者差异较小。从产品成本来看，NOR Flash的平均每MB成本是NAND Flash成本的三到四倍。成本价格的巨大差异，导致NOR容量增长比NAND困难。NOR Flash适用代码高速访问与执行，因此移动电话是NOR最常见的应用环境。
　　最近一年来NOR和NAND技术的竞争很激烈。支持NAND技术的公司主要是美国的SanDisk、日本的东芝公司和韩国的三星公司等。由于市场对大容量存储器的需求大于对数据读写速度的需求，目前NAND的销售量比NOR大，且增长速度也高一些。三星公司是目前全世界最大的Flash Memory提供商、东芝是第三大提供商。NAND 提供商在固守传统NAND应用领域的同时，开始追求传统的NOR应用领域，如：手机、PDA和电视机的机顶盒系统。相反NOR 支持者，如英特尔和AMD，正在通过加强整合蜂窝结构和毫微工艺来维护NOR应用领域。二者竞争激烈且开发商都有取代对方的欲望，但客观的评价是：由于NOR和NAND在技术上具有互补性，二者将长期共存。 答 13: 更迷惑了那块、页的概念是在哪种flash（是NAND还是NOR）才有的呢？如果都有的话，又怎么区别啊 答 14: 要看情况了，你可以找几个不同种的datasheet比较着看了