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问 #define Fosc            11059200
#define Fcclk           (Fosc * 4)
以上是周公lpc2200模板的boot对pll的设置，也就是说2210工作于44MHz下，
按照周公的ARM教程上说ARM7tdmi“能提供0.9MIPS/MHz的指令执行速度”（3.2.1三级流水线），那就算是0.5MIPS/MHz吧（好算些，结论一样），就是说2个cclk可以执行一条指令，2个cclk是(1/22)ns。

lpc启动时MAM被禁止，直接从flash取指（设为外部flash启动），虽然BCFG0的WST（读访问长度）复位值为最大34 cclk（即0.77ns），但是根据SST39VF160数据手册所写，即使是最快的55ns的读周期时间也远远地超过了34 cclk，但为什么周公的smart2200能够用外部flash SST39VF160正常启动呢？

同样的，黄皮书里外部存储器接口1（实验2.15）的例程在写flash前先写入必须的软件命令时序：
（相关宏定义
#define    FLASH_ADDR    0x81000000
#define GetAddr(addr)    (volatile uint16 *)(FLASH_ADDR|(addr<<1))
）
实际语句：
    ip=GetAddr(0x5555);
    *ip=0xAA;
    ip=GetAddr(0x2AAA);
    *ip=0x55;
    ip=GetAddr(0x5555);
    *ip=0xA0;
从axd里看其产生的汇编语句也就1-3句/条c语句，而SST39VF160数据手册里一个命令的地址就必须保持最小30ns，同样与34 cclk差太多了，但执行却正确。

看来应该是我的时间的计算有问题，但是不知道哪有问题，请高手指教啊！ 答 1: 2个cclk是(1/22)ns？怎么算的？34cclk才0.77ns？LPC2210什么时候成了GHz级的处理器？
答 2: boot运行的开始频率是不用pll的此时flash是满足要求的，在配置pll之前正确的配置了等待周期就不会到导致取指失败，但是此时的运行速度实在是很慢的，用22x0的用户最好要研究一下把最要求速度的一部分代码放到内部sram运行 答 3: 2个cclk是(1/22)ns？怎么算的？MIPS是百万条指令每秒，0.5MIPS/MHz，就是1条指令/2cclk，然后44MHz的倒数就是1/44ns（10e-6秒）=1cclk。是这么算的吗？
这样，就算mam有加速，但flash的最小读写周期是固定的，读写一个word还是要几十ns的吧。
应该是算法上有问题，希望大家能给出正确的算法。 答 4: 错了错了！1ns = 10e-9s！44MHz的时钟，每个时钟周期应该是1/44us = 22.7ns！
答 5: 44MHz的时钟，每个时钟周期应该是1/44us = 22.7ns！对了。
1ns是1秒的10亿分之一，我还以为ms以下是ns然后才是us，记错了:)。
多谢楼上的提醒。
那么这样的话，就是1条ARM指令/6cclk（2*16bit，6cclk>(2*55)ns)），即使mam加速，mam取指周期MAMTIM的值只能是1-7cclk，而mam每次取指为4个代码字，时间不够啊，教程里还推荐40MHz以上取MAMTIM=3cclk，这个是怎么算的？请大家继续帮助，谢谢。 答 6: 没人知道吗？还是因为太简单了大家不想帮忙回答一下吗？
我还是新手，希望大家指导一下。版主放假回来的话，也请看一下吧。
是关于楼上的mam加速的问题。
看了一下论坛的老贴，是不是mamtim实际是指一次读flash的操作的cclk，mam取指时是进行了4次的读flash操作，也就是mam一次取指所用周期为(4*2*MAMTIM)=8*3cclk? 答 7: mam是针对片内flash的片内flash的访问周期为50ns以上，即最高频率20MHz。
所以，CCLK>20MHz，mamtim设为2，CCLK>40MHz，mamtim设为3。 答 8: mam是针对片内flash的应该不是这样的，因为2210没有片内flash，但是有mam加速。