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RAM,FLASH 为什么在RAM里调试正常的程序烧到FLASH里不能正常运行呢?
问
如题
程序里有I2C的操作 答 1: RO地址设置对吗?RO地址设置对吗? 答 2: 没问题肯定是对的 答 3: 我也是碰到这样的问题我也是碰到这样的问题:液晶和键盘一起,在RAM 调试时很好,但是外部flash运行时,键盘没反应?谁能指导一下
答 4: re看看启动代码处就是文件VECTOR.S
可能是用户有效代码没有搞好 答 5: 我也是啊!!!我同样出现了在RAM里调试正常的程序烧到FLASH里不能正常运行的现象,不知怎么回事啊,急啊~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 答 6: 我也是,请问怎么解决的。谢谢!!! 答 7: 这是因为程序在内部flash里面跑,指令执行速度快......这是因为程序在内部flash里面跑,指令执行速度快,要想达到和在片外RAM或flash里面的效果,在相关指令后面加上适当延时,你难道没有发现,用类似于
for(i=0;i<1000;i++){}这样的简单延时程序做跑马灯,在内部FLASH里面跑是不是比在外部RAM或外部FLASH里面跑快很多吗?呵呵,原因就在于此。而用定时器就不会出现类似情况了,内外肯定是一样的。
程序里有I2C的操作 答 1: RO地址设置对吗?RO地址设置对吗? 答 2: 没问题肯定是对的 答 3: 我也是碰到这样的问题我也是碰到这样的问题:液晶和键盘一起,在RAM 调试时很好,但是外部flash运行时,键盘没反应?谁能指导一下
答 4: re看看启动代码处就是文件VECTOR.S
可能是用户有效代码没有搞好 答 5: 我也是啊!!!我同样出现了在RAM里调试正常的程序烧到FLASH里不能正常运行的现象,不知怎么回事啊,急啊~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 答 6: 我也是,请问怎么解决的。谢谢!!! 答 7: 这是因为程序在内部flash里面跑,指令执行速度快......这是因为程序在内部flash里面跑,指令执行速度快,要想达到和在片外RAM或flash里面的效果,在相关指令后面加上适当延时,你难道没有发现,用类似于
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