问 请问：
我在开发板上调试LPC2210+39VF160的程序，读写都正确，但是我自己做了一块板子，用的是LPC2214+39VF1601，读写39VF1601就不正确，请问，是什么问题？我觉得可能的原因有以下几种：
1、开发板的调试选择的是：DebugInEXram,我自己做的板子，我选择的JTAG调试是：DebugInchipflash,是不是两种调试方式有什么不同？
2、以上两种调试方式对于变量定义的有什么不同？
3、39VF1601的WP和RST我全部通过10K电阻拉高，是不是有问题？

谢谢！ 答 1: 自己顶一下 答 2: 为什么没有人回答？ 答 3: re:1. DebugInEXram --- 代码和变量均放在外部RAM上(BANK0)
   DebugInchipflash --- 代码放在芯片内部FLASH,变量放在外部RAM(BANK0)
2. 参考1
3. 没有问题. 请检查硬件焊接是否可靠(有无短路、虚焊等). 答 4: 谢谢ZLGARM，再次请教“DebugInchipflash --- 代码放在芯片内部FLASH,变量放在外部RAM(BANK0)”
如果我想将变量放在内部RAM中，如何设置呢？
因为我没有焊外部RAM。
谢谢 答 5: 更改分散加载文件相应地址即可更改分散加载文件相应地址即可 答 6: 更改分散加载文件相应地址的方法？我是这么修改的：
ROM_LOAD 0x0
{
    ROM_EXEC 0x00000000
    {
        Startup.o (vectors, +First)
        * (+RO)
    }

    IRAM 0x40000000
    {
        Startup.o (+RW,+ZI)
    }

    ERAM +0
    {
        * (+RW,+ZI)
    }

    HEAP +0 UNINIT
    {
        heap.o (+ZI)
    }

    STACKS 0x40004000 UNINIT
    {
        stack.o (+ZI)
    }
}
是否正确？ 答 7: RE差不多，不用
ERAM +0
{
        * (+RW,+ZI)
}了，把 * (+RW,+ZI)放到IRAM 0x40000000下面就可以了


答 8: 是否要修改startup内的代码？ 答 9: 现在我焊上SRAM了是512K的，请问如何修改分散加载文件？