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问 DSP: 5402,100MHz
SRAM:IS61LV6416 12ns
FLASH: SST39VF400,70ns
DSP访问外部存储器最多可插入14个等待状态
SRAM映射到程序空间，FLASH映射到数据空间
boot的时候将数据从Flash拷贝到SRAM中。
附件图为5402与SRAM FLASH的接口，不知道可不可以
要考虑做板子了，请各位把把关
答 1: 可以可以 答 2: 采用74系列门电路搭建的译码电路时序上没问题吗？看到的很多例子都是用CPLD来译码的
用74门电路搭建的译码电路（上图的非门和或门的TpdMax都是10ns以内）速度够快吗？有人这样做成的吗？
这种电路有没有特别需要注意什么的？ 答 3: 注意电压匹配!!! 答 4: 都用3.3V都用3.3V的应该没有问题吧 答 5: 可以我就这样用过，没什么问题。
注意电平，用74HC的根好一些吧 答 6: 谢谢谢谢大家的热心回复! 答 7: 为什么74HC更好?74HC速度还没有74AC高啊 答 8: 不清楚我是通过一个CPLD做的译码，也是IS61LV6416 ，但是发现不能找到SRAM的高位，一直还是谜团 答 9: 新作了板子发现按照上面的原理图连接的时候SRAM很烫,这个时候量了一下6416的CE为低,WE和OE为高,数据无法正常load
后来将P\S\和M\S\T\R\B\或一下作为SRAM的CE,就一切正常了(不发烫,数据load也正常)
Flash按照上面原理图连接没出什么问题 答 10: 应该没有温度才对，至少我是这样80MHz时IS61LV64256是没有温度的 答 11: 调试中的教训Ready 没有拉高导致的问题

我的板子上HOLD外接10K电阻上拉至3.3V，但READY悬空，调试的程序需要访问需要使用外部程序存储器（对应SRAM），调试发现存储器访问有时正常又时停滞（正常时XF驱动LED闪烁），特别奇怪的是当手指靠近DSP上编号10-30的引脚区域时，存储器访问几乎都能正常，以为是虚焊，此区域内各个引脚重新刷了一边，问题照旧。不解，看5402的引脚说明，存储器控制信号（Memory Control Signal）中Ready的说明如下：
Input. Data ready. READY indicates that an external device is prepared for a bus transaction to be completed. If
the device is not ready (READY is low), the processor waits one cycle and checks READY again. Note READY I that the processor performs ready detection if at least two software wait states are programmed. The
READY signal is not sampled until the completion of the software wait states.

由于上电后5402对外部存储器的访问默认加入7个软件等待状态（大于2个软件等待状态），如果Ready不受外部存储器控制则必须拉高表示在软件等待结束时外部存储器数据已经准备好，否则DSP会继续傻傻等待...

READY拉高后，问题解决

希望大家不要像我一样犯这种低级错误

还有关于SRAM的片选的产生，直接用PS板子也可以正常工作，但6416摸上去比PS|MSTRB做片选的时候稍微温一点儿（我的感觉） 答 12: 请教？？我是新手！问一下你的ＳＲＡＭ映射到程序空间，以便加载程序．但是那你许要数据空间怎末办啊？？？作为程序的那部分还可以做ram吗
答 13: 呵呵FLASH的片选为何不用DS|MSTRB?
答 14: 还有  这样做的话,你的flash映射到数据空间什么地址范围? 答 15: 补充一点
PS|MSTRB不需要，原来的译码只所以会让SRAM发热，是因为，仅用PS作为SRAM片选，程序运行的时候PS信号是一直为低电平。所以SRAM是一直暴露在外面的，数据线上无论从那里来的数据，都会不停的往里面灌。这种情况和CPLD没有设置之前上电是一样的，同样也会发烫
答 16: 地址映射  这样的话,你的flas地址是否映射在数据空间0x0000~0xffff内,而且访问只能从4000h开始?我有个疑问,如果我需要访问flash内的0x2AAA空间,那么怎么办呢?

wurtyrhrtu

哪里有附图？