EEPW论坛

问 请问EEPROM与FLASH有什么区别啊？ 答 1: 擦写方式不同吧 答 2: 基本单元不同，应用范围不同 答 3: 工作原理不同工作原理不同，组成不同。因此特性也不同。
EEPROM寿命长（约1M次），FLASH寿命短（约10K次）
EEPROM擦写慢（x ms），  FLASH擦写快
EEPROM贵（50RMB/MB）。  flash便宜（1RMB/MB）。 答 4: re他们的工作原理在数电书上都能找到，我也忘了

EEPROM：可以字节/页写，字节擦除
FLASH：可以字节/页写，只能单元（扇区）擦除

就是说，EEPROM你可以直接写，直接读
FLASH你写之前必须判断是不是FF，如果不是，就要先擦除，而擦除必须按扇区擦除

Flash可以做的很大，EEPROM不行
以前一般用flash作为只读存储器，但是在一些嵌入式系统上，也使用flash保存少量数据

答 5: 不是吧flash与eeprom结构不同
工艺不同flash集成度高多了
flash 可以擦1万次左右
eeprom 只可以擦1千次
at89c51李就是eeprom
而flash可以一个扇区的擦
也可一个扇区的写和字节写
eeprom只可以整体擦，字节写
flash写起来比eeprom快
擦也快
答 6: at98c51内是flash 答 7: 呵呵，lisongping 把FLASH和EEPROM搞反了哦 答 8: 呵呵，还是不对，应该是flash与eeprom结构不同
工艺不同flash集成度高多了
flash 可以擦1万次左右－－FLASH一般可以擦写1千次左右
eeprom 只可以擦1千次－－现在的EEPROM一般都有100万次的擦写寿命，某些型号是10万次
at89c51李就是eeprom－－at89c51是FLASH的，不要搞错了
而flash可以一个扇区的擦
也可一个扇区的写和字节写－－FLASH只能整个扇区擦除，可以写1字节（FF改成非FF）或扇区
eeprom只可以整体擦，字节写－－EEPROM可以单字节擦写也可以页写（一次修改多个字节）
flash写起来比eeprom快
擦也快－－整片擦写或大量写时确实这样，因为扇区大嘛


补充：由于工艺和结构不同，EEPROM集成度有限，单位容量价格高，寿命长；FLASH集成度高，价格便宜，但擦写次数有限

答 9: 在PIC中EEPROM用作数据保持，FLASH用作程序空间。EEPROM现在可以做到100万次的擦写寿命，FLASH可以做到10万次的擦写寿命，但在PIC中，两种都可以但字节写。
只是EEPROM擦写时不需要高电压支持，FLASH擦写时需要13V左右的高电压。 答 10: FLASH擦写时不需要高电压FLASH擦写时不需要高电压，除非是某些特殊型号。

89S51烧写的时候只需要4V的电源就可以。还有无数的手持设备，U盘都只有不高于5V的电源。