- 回答:
造成该现象的原因可能是闪存的加密位被设定为开启状态。确认一下只读存储器的最后一个地址中写入的是否为01H。
闪存微控制器支持多少种的编程方法?
- 回答:
有以下三种方法可以对该闪存微控制器进行编程:
- 并行编程
- 串行编程
- 用户编程
当用工具检查程序的运行时,程序正常运行。当用闪存微控制器来检查程序运行时,程序运行不正常。这个问题是由什么原因造成的?
- 回答:
当用工具检查程序的运行时,程序正常运行,但用闪存微控制器来检查程序运行时,程序运行不正常,造成这个问题的原因有以下几个方面:
- 对很多闪存单片机而言,重启向量是确定的。确认一下,你使用的闪存单片机是否支持硬布线重启。
- 随机存储器的起始值对于闪存单片机而言完全不明确。确认一下程序是否是随机存储器中清楚明确的程序。
- 检查单片机的时钟振荡。对工具而言,工具方的振荡可能会被使用。
- 确认一下电源打开后是否输入了足够重启。
- 检查工具映射的存储量和实际的闪存单片机映射的存储量。
- 确认一下闪存单片机中的数据写入是否正常。
- 检查闪存单片机连接的电源电压。
请教对于闪存单片机的在线编程的硬件设置的方法。
- 回答:
有下面两种板上编程的方法,在端口设置方面有所不同。
- 用专门的串行编程器在时钟同步模式下编程(YDC制造):如需了解该编程模式的硬件设置方法,参见每个产品的硬件手册。
- 时钟异步模式下从PC通过RS-232C编程:这种编程模式的硬件设置的方法加附于电脑写入软件。因此请向负责的销售人员进行咨询。
为什么闪存单片机的在线编程要求两个通用端口的级别设置?
- 回答:
闪存单片机的板上编程有时钟同步和异步两种模式。两个通用端口的级别设置在任意一个模式中都需要改变方向。
振荡器的频率是在闪存单片机的编程中预先确定的吗?
- 回答:
闪存单片机的板上编程有时钟同步和异步两种模式。在时钟同步模式中,振荡器的频率限度没有任何问题,然而,在异步模式中,一些振荡器的频率类型是预先确定的。因此,请参阅编程软件的手册。
从闪存单片机移植到掩摸单片机时, 是否要注意一些事项?
- 回答:
闪存单片机和蒙板单片机之间存在着一些差异。1。就闪存单片机而言,重启向量是固定的。确认一下您所使用的闪存单片机是否支持硬布线重启。而蒙板单片机没有固定的重启向量。因此,确认一下软件中重启向量设置是否和硬布线重启的地址相匹配 。2 单片机和振荡器的匹配数据有所不同。确认一下蒙板单片机所获得的匹配数据。3 闪存单片机和和蒙板单片机之间的一些电气特性有所不同,如供电电流。(例如,电流消耗,运行保证电压范围等等方面都可能有所不同。因此,请参阅每份数据手册) 4 对一些产品而言,静电电压抵挡、闭锁,不必要辐射噪音,噪音耐受性等方面的特点都有所不同,如有必要,可要求销售人员给出特性例证。
富士通似乎保证其品牌的闪存单片机能执行10,000次写操作。如果超过这个次数,单片机是不是就不工作了?
- 回答:
富士通保证其品牌的闪存单片机能执行10,000次写操作。但这并不意味,超过这个次数后,写操作就立刻无法执行了。即使超过10,000次,富士通闪存单片机还是能够充分地执行重写操作。
如果闪存单片机不写入任何数据,那么区域里面的数据是什么?
- 回答:
闪存单片机没有记录的区域的数据是0xFFH。
关于扇区删除暂时停止/删除重启指令。这个指令设定的目的是什么?在执行该指令的时候,其它扇区能否被读取?
- 回答:
闪存单片机要花几分钟的时间来删除扇区内容。然而,如果你等不及这段删除时间,你可以暂时停止扇区删除。在删除暂时停止的时候,可以进行某种类型的处理,在处理过程中可以重新启动删除指令。当扇区删除暂时停止指令在执行时,除了那些正在被删除的扇区之外其它扇区都是可读可写的。
在闪存单片机中,从技术上看,除FFFFh之外的其它数据能否被重写?(假定数据只从1到0的方向上被重写)
- 回答:
关于从1到0的方向重写数据, 我们保证,除FFFFh之外,数据的重写仅在重写数据1到0的方向。从器件规格的角度来看,我们不支持0到1的数据记录处理,删除(ERASE)处理除外。
在生成写/删程序时,哪个硬件顺序标记应被使用,是DQ7还是DQ6?
- 回答:
你可以使用DQ7和DQ6的任一硬件顺序标记。DQ7 + DQ5 或 DQ6 + DQ5被用来判断写入或删除的结束。
在确定指令顺序中的某一写入地址(SA)时,是否有必要规定内存库?
- 回答:
内存库需要被指定。确定写入地址包括内存库。
闪存的擦写时间为多长?
- 回答:
如需详细信息,请参阅各器件数据手册中的电器特性。
是否支持闪存的加密功能?
- 回答:
支持的型号:MB90F543G/GS, MB90F546G/GS, MB90G548G/GS,MB90F549G/ GS, MB90F562B, MB90F462, MB90F598G, MB90F443G
在闪速单片机非标准低电压状态下工作时,读出的闪存数据是不是一个固定的值(固定FFh等)?
- 回答:
要被读出的FLASH数据不会变成固定值。在非标准电压下运行时,要被读出的数据是一个不确定的值。
写入时间和扇区删除时间是否会根据单片机的运算频率发生变化?
- 回答:
写入时间和扇区删除时间不会根据单片机的运算频率发生变化。
数据手册中描述的标准(最大)写入时间和扇区删除时间是否和导致DQ5被设定为”1”的规定时间一样?
- 回答:
- 最大写入时间:设定时间限制超过标记。
- 最大扇区删除时间:定时限制超过标记没有被设定。需要一分钟的时间在扇区删除中设定定时限制超过标记。
我正在用C.语言开发一个闪存写入控制程序。然而,该程序被优化,导致了意外处理。
- 回答:
当一个变量在硬件模式中被重写(但不是用C程序重写),它需要被定义不能用C编译器优化的变量。在C编程中,处理变量是需要定义变量的可变特性的。因此,可变属性对于闪存的硬件顺序标记的变量定义来说十分必要。
OTP 单片机要有时效。那闪存单片机是不是不需要时效呢?
- 回答:
在OTP单片机编程中,编程后数据的性质取决于编程器,因为写电压是通过等提供的。然而,在闪存单片机中写入的时候,无需时效,因为写电压和删除电压都在芯片中控制,来确保器件的写入质量。
在运输出货时,闪存中写入的有些什么内容?
- 回答:
所有闪存单元都已经做过0/1擦写测试了。一般而言,运输出货时,所有闪存中写入的是 “FF”。
如果使用富士通提供的串行闪速写入软件,那么和写入无关的端口是不是处于“Hi-z”状态?(针对:MB90470系列)
- 回答:
一般而言,和写入无关的端口是处于“Hi-z”状态。P90就像CS0,根据同样的CS0启动,作为串行闪速写入模式设置中的外部总部模式的起始值。因此,只有P90输出“H”。
在为闪存执行扇区擦除(ERASE)或芯片擦除(ERASE)时,擦除是否按照预先确定的地址执行顺序?
- 回答:
并不存在预先的地址顺序。每个闪存单元都要同时执行ERASE。ERASE的执行时间取决于各个闪存单元,因此具有较短ERASE时间的单元就完成ERASE命令。
当闪存定时溢出标志DQ5检测到时间溢出时(DQ6 = toggle and DQ5 = 1), RDYINT 位是否被设定为 "1"?
- 回答:
当闪存定时溢出标志DQ5检测到时间溢出时(DQ6 = toggle and DQ5 = 1), RDYINT 位RDY位没有被设定为 "1"。因此,闪存错误状态(定时溢出)无法用闪存控制状态寄存器(FMCS)探测出。只有用闪存硬件顺序标记才能探测出其错误状态。
富士通电脑编程器中的ERASE命令总是能正常执行,但是,空白检查却出现NG结果,可能造成该问题的原因是什么?
- 回答:
擦/写供电电压是不是低于保证电压? 如果使用低于保证电压的电压,就会导致这样的状态。
硬件手册中“串行写入”中解释的程序启动引脚的设定电压和富士通电脑串行编程手册中的解释不一致。这些描述是否正确?(目标:MB90F352等等)
- 回答:
这些描述是正确的。因为硬件手册是针对YDC编程器规格的。因此,两方面的描述都准确。