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绝缘栅型场效应管:由金属、氧化物和半导体制成,由于其栅极被氧化物所隔离,所以输入阻抗更高,可达到10的9次方以上。就导电沟道来说也分为N沟道和P沟道。这两个沟道的又分为增强型和耗尽型。本笔记以N沟道增强型MOS场效应管来记录:
一、 结构
如图所示:
在P型衬底上附一层绝缘层(二氧化硅),然后挖两个窗口,通过扩散称为两个N区,分别引出三个电极,在栅极和其他电极之间是绝缘的。
二、 工作原理
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结型场效应管是利用Ugs之间的电压来控制输出电流Id的
绝缘栅型场效应管是利用Ugs来控制“感应电荷”的多少,进而来控制漏极电流Id。如果Ugs=0时,漏源之间已经存在导电沟道,称为耗尽型,如果Ugs=0时不存在导电沟道。则为增强型。对于N沟道增强型来说,源和漏极之间相当于两个背靠背的PN结,所以无论漏源之间加上何种极性的电压,总是不能导通。
A、 当Uds=0同时Ugs》0时,栅极和衬底之间形成平板电容,由于栅极电压为正,将衬底中的电子吸附到靠近栅极一侧,形成了有负离子组成的耗尽层。若增大Ugs,则感应电荷增多,导电沟道变宽,因为Uds=0,故Id为零。
B、 当Ugs增大到一定的值,在漏源之间加上正电压,此时由于漏源之间有导电沟道,漏源之间有电流流过。当Uds增大时,Id随之增大。当增大到一定的数值时,靠近漏极处的沟道达到临界开启的程度,出现预夹断的情况。
三、 特性曲线
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由图(a)可知绝缘栅型场效应管也分为三个区,图中曲线表示预夹断轨迹
转移特性曲线(b):当Ugs小于阈值电压Ugs(th)时,尚未形成有效的导电沟道,所以电流Id为零。当达到阈值时,随着Uds的增大,导电沟道变宽,电流Id增大。