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随着便携式设备（电池供电）在过去十年间的快速增长，像原来的业界标准LM340和LM317这样的稳压器件已经无法满足新的需要。这些稳压器使用NPN达林顿管，NPN稳压器（NPN regulators）。预期更高性能的稳压器件已经由新型的低压差（Low-dropout）稳压器（LDO）和准LDO稳压器（quasi-LDO）实现了。

1  NPN稳压器（NPN regulators）

在NPN稳压器的内部使用一个PNP管来驱动NPN达林顿管（NPN Darlington pass transistor），输入输出之间存在至少1.5V～2.5V的压差（dropout voltage）。这个压差为：Vdrop＝2Vbe＋Vsat（NPN稳压器）

2  LDO稳压器（LDO regulators）

在LDO（Low Dropout）稳压器中，导通管是一个PNP管。LDO的最大优势就是PNP管只会带来很小的导通压降，满载（Full-load）的跌落电压的典型值小于500mV，轻载（Light loads）时的压降仅有10～20mV。LDO的压差为：Vdrop＝Vsat（LDO稳压器）

3  准LDO稳压器（Quasi-LDO regulators）

准LDO（Quasi-LDO）稳压器已经广泛应用于某些场合，例如：5V到3.3V转换器。准LDO介于NPN稳压器和LDO稳压器之间而得名，导通管是由单个PNP管来驱动单个NPN管。因此，它的跌落压降介于NPN稳压器和LDO之间：Vdrop＝Vbe＋Vsat

4  稳压器的工作原理（Regulator Operation）

所有的稳压器，都利用了相同的技术实现输出电压的稳定。输出电压通过连接到误差放大器（Error Amplifier）反相输入端（Inverting Input）的分压电阻（Resistive Divider）采样（Sampled），误差放大器的同相输入端（Non-inverting Input）连接到一个参考电压Vref。参考电压由IC内部的带隙参考源（Bandgap Reference）产生。误差放大器总是试图迫使其两端输入相等。为此，它提供负载电流以保证输出电压稳定：Vout=Vref（1+R1/R2）

5  性能比较（Performance Comparison）

NPN，LDO和准LDO在电性能参数上的最大区别是：跌落电压（Dropout Voltage）和地脚电流（Ground Pin Current）。为了便于分析，定义地脚电流为Ignd，并忽略了IC到地的小偏置电流。那么，Ignd等于负载电流IL除以导通管的增益。

NPN稳压器中，达林顿管的增益很高（High Gain），所以它只需很小的电流来驱动负载电流IL。这样它的地脚电流Ignd也会很低，一般只有几个mA。准LDO也有较好的性能，如TI的LM1085能够输出3A的电流却只有10mA的地脚电流。

然而，LDO的地脚电流会比较高。在满载时，PNP管的β值一般是15～20。也就是说LDO的地脚电流一般达到负载电流的7%。

NPN稳压器的最大好处就是无条件的稳定，大多数器件不需额外的外部电容。LDO在输出端最少需要一个外部电容以减少回路带宽（Loop Bandwidth）及提供一些正相位转移（Positive Phase Shift）补偿。准LDO一般也需要有输出电容，但容值要小于LDO的并且电容的ESR局限也要少些。