最近在玩网络摄像机。某宝上淘了个大华的HFW-2100D来玩,拆开来学习下。
先贴一下参数
录像效果截图
造型比较漂亮。上面标的防护等级:IP66。百度上关于IP66的解释:IP66指产品完全防止外物侵入,且可完全防止灰尘进入,承受猛烈的海浪冲击或强烈喷水时,电器的进水量应不致达到有害的影响。
尾线只有网络口跟电源接口没有电源、网络指示灯。以后维护维修起来比较麻烦。接头也没有像海康那种防水罩。
前面板,两个阵列式红外灯。没有光敏电阻了。红外线由DSP信号进行切换。
背后的铭牌
拆开前面的镙丝。接缝周围是一圈黑色的橡胶密封垫。
外壳后部是塑料的。
外壳前面这部分是铝的
POE供电的变压器通过铝块把热量传递到外壳上。
DSP板、电源板、cmos传感器板分开的。
全机用了4块相变硅胶导热。材料还是挺足的。
这里也有一块相变脂胶,连接POE供电变压器的铝块的。
拆下来的传感器组件
侧面
开始还以为用的是CS口镜头,结果是单板机镜头。
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor),中文学名为互补金属氧化物半导体,它本是计算机系统内一种重要的芯片,保存了系统引导最基本的资料。CMOS的制造技术和一般计算机芯片没什么差别,主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体,使其在CMOS上共存着带N(带-电) 和 P(带+电)级的半导体,这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。后来发现CMOS经过加工也可以作为数码摄影中的图像传感器,CMOS传感器也可细分为被动式像素传感器(Passive Pixel Sensor CMOS)与主动式像素传感器(Active Pixel Sensor CMOS)
背面照
IRCUT
cmos传感器
CCD和CMOS在制造上的主要区别是CCD是集成在半导体单晶材料上,而CMOS是集成在被称做金属氧化物的半导体材料上,工作原理没有本质的区别。CCD只有少数几个厂商例如索尼、松下等掌握这种技术。而且CCD制造工艺较复杂,事实上经过技术改造,目前CCD和CMOS的实际效果的差距已经减小了不少。而且CMOS的制造成本和功耗都要低于CCD不少,所以很多摄像头生产厂商采用的CMOS感光元件。成像方面:在相同像素下CCD的成像通透性、明锐度都很好,色彩还原、曝光可以保证基本准确。而CMOS的产品往往通透性一般,对实物的色彩还原能力偏弱,曝光也都不太好,由于自身物理特性的原因,CMOS的成像质量和CCD还是有一定距离的。但通过采用影像光源自动增益补强技术,自动亮度、白平衡控制技术,色饱和度、对比度、边缘增强以及伽马矫正等先进的影像控制技术,完全可以达到与CCD摄像头相媲美的效果。
阵列式红外线灯板
发光二极管阵列(LED Array)区别于传统LED红外灯,阵列红外灯的突出特点是使用寿命长、2~3年内光线无明显衰减,光线均匀,画质细腻,清晰度高,可大幅提升摄像机夜视效果
电源板
上面最大的那个元件是POE供电的变压器。百度:POE (Power Over Ethernet)指的是在现有的以太网Cat.5布线基础架构不作任何改动的情况下,在为一些基于IP的终端(如IP电话机、无线局域网接入点AP、网络摄像机等)传输数据信号的同时,还能为此类设备提供直流供电的技术。POE技术能在确保现有结构化布线安全的同时保证现有网络的正常运作,最大限度地降低成本。
简单的来说就是利用网线来传输信号跟电源。省掉电源布线。
DSP板。处理器用的德州仪器的DM365zce
背面的FPC接口
全家福
结束!谢谢赏评!
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