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CMOS-IC电路

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated Circuit)。

CMOS集成电路的性能特点

微功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。

高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。 宽工作电压范围—CMOS 电路的电源电压一般为1.5~18伏。 高逻辑摆幅—CMOS 电路输出高、低电平的幅度达到全电? 吹缪梗 绰呒 ?/FONT>1”为VDD，逻辑“0”为VSS。

高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω一般可达1010Ω。 高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。 低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。

宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为

- 55 0C ~ 125 0C;塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。

所有的输入均有删保护电路，良好的抗辐照特性等。

你知道为什么CMOS电路的直流功耗几近于零吗? JEDEC最低工业标准 JEDEC最低标准是电子工业协会(EIA)联合电子器件工程委员会(JEDEC)主持下制定的CMOS集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为JEDEC 制定的CMOS集成电路的最大额定范围：

输入输出信号规则

所有的CMOS电路的输入端不能浮置，最好使用一个上拉或下拉电阻，以保护器件不受损害。

在某些应用场合，输入端要串入电阻，以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。

输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。

避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管，否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。

CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗，必须注意这些电路采用大负载电容(≥500PF)时等效于输出短路的情况。

CMOS电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。

主要封装形式

双列直插

扁平封装

扩展阅读：上拉电阻原理