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　　在本章开始之前，我们先来看下ARM11S3C6410内部结构：

　　本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/203125.htm

　　在图中，我们看到ARM11S3C6410内存部分有SRAM、SDRAM、DDR和NANDflash几种类型，关于这几种内存之间的联系可参考ARM11s3c6410系列教程之三内存使用的介绍。从以上几节的介绍可以看出，若ARM11S3C6410设置为NANDflash启动，则NANDflash作为程序暂时储存的场所，我们不能不认真的理解下NANDflash的操作。

　　在硬件上，使能 NAND Flash时， XSELNAND需保持为高电平，也就是AB16为高电平。

　　在NAND Flash 控制器图解如下图所示：

　　在图解中我们可以看出NAND Flash控制器片选信号、命令信号，地址信号，读信号、写信号、空闲/繁忙管脚和8个数据管脚组成，这大大方便了NANDflash的使用和控制。

　　关于NAND Flash芯片的硬件连接，我们来分析下其连接：

　　首先，来看下NAND Flash芯片连接图

　　在硬件连接中，可以看出NANDflash的I/O端口连接只有8位，我们不难想到数据、地址复用的情形。其实，NANDflash的操作也是这样。

　　其次，我们来分析下NANDflash的操作：

　　① 通过片选信号CE1和CE2完成NANDFlash的选择;

　　② NANDFlash操作时序图如下：

　　由于NANDFlash不能像内存一样直接读写，要先发出命令、再发地址、再读写数据完成相应的操作;

　　③ 关于命令，地址和数据的传送有以下规则：

　　CLE = 1, data0~data7上传输的是命令;

　　ALE = 1, data0~data7上传输的是地址;

　　CLE/ALE都是0, data0~data7上传输的是数据, nWE = 0, 表示写;

　　④ ARM11S3C6410发出命令操作:只需要把命令写到NFCMD寄存器中即可完成;

　　⑤ ARM11S3C6410发出地址:把地址写到NFADDR寄存器;

　　⑥ ARM11S3C6410发出数据:把数据写到NFDATA寄存器;

　　⑦ ARM11S3C6410读数据操作:通过读取NFDATA寄存器即可完成数据的读取;

　　ARM11S3C6410正是有了NFCON，才使对NANDFlash的操作变得更加简单。对于其他的处理器，需要用普通的GPIO按照NANDFlash的操作时序完成相应的操作。