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安森美半导体领先业界的IGBT获中国《电子产品世界》 颁发最佳功率元器件奖

助工
2014-05-29 17:43:05    评分
2014528 – 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)获中国主要半导体行业杂志之一的《电子产品世界》2013年度电源技术及产品奖之功率元器件类最佳产品奖。这每年一度的奖项表彰六个不同类别的优秀产品。
 
安森美半导体的高性能第二代场截止型(FSII) IGBT系列扩充了额定电流范围,为不间断电源系统(UPS)、电火锅、电饭煲及微波炉等电源应用提供高能效、高速开关能力。获奖器件NGTBxxN120IHRWG及NGTBxxN135IHRW具有优异的开关性能及更低的导电损耗,用于15至30 千赫兹(kHz)中等频率工作的电磁加热及软开关应用。这些器件在大电流时提供极佳的强固性和优异的导通状态特性,根据系统要求经过优化,以提供更高能效及降低系统损耗。
 
安森美半导体的FSII IGBT技术进一步扩充, 还包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件,专门设计用于太阳能逆变器、UPS及变频焊机应用。这些器件提供增强的热性能,结点工作温度范围达-55到+175°C,并将额定电流能力提升至采用TO-247封装条件下 的100 A。
 
安森美半导体提供高品质及可靠IGBT的实力悠久,其中通过汽车AEC-Q认证的IGBT量产已超过10年。2011年,公司开始开发新的高压/大电流IGBT,用于不断增长、持续需求高能效方案的工业及消费类市场。2012年,公司发布采用专有沟槽场截止型技术的首个完整IGBT产品系列,媲美同类技术。此次获奖的FSII IGBT产品系列于2013年5月发布,进一步巩固安森美半导体的技术领先者地位,现又获得了《电子产品世界》读者投票及专家评审小组的认可。
 
《电子产品世界》的年度电源技术及产品奖已踏入第11届,接受世界各地的嵌入式系统供应商提名。《电子产品世界》颁授最佳产品奖及最佳应用奖予六个产品类型,得奖产品由网友投票及《电子产品世界》委任的业界专家评审选出。



关键词: 安森美半导体     电子产品世界     获奖    

院士
2014-05-29 20:34:22    评分
2楼

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