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IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷

高工
2014-06-12 10:32:52    评分

IR推出150V和200V MOSFET 具有极低的闸电荷

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET,为开关模式电源(SMPS) 、不断电系统 (UPS)、反相器和DC马达驱动器等工业应用提供极低的闸电荷 (Qg)。

与其它竞争器件相比,IR 150V MOSFET提供的总闸电荷降低了高达59%。至于新款200V MOSFET的闸电荷,则比竞争器件的降低了多达33%。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“随着DC-DC功率转换应用技术的日益进步,开关频率也有所提高,输入电容和闸电荷在整体效率方面担当起重要的角色。开关损耗的多少对快速开关电路来说是关键的问题。IR新推出的150V和200V MOSFET正好针对这个挑战做出了优化,所以非常适合作为通信应用中隔离式DC-DC转换器的主要开关,或者在任何先进的DC-DC应用中推动轻负载效率。”

这些新款MOSFET达到工业级别及第一级湿度感应度 (MSL1) 。它们采用TO220、D2PAK、TO262、DPAK和IPAK封装,皆为无铅设计,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 指令。

产品的基本规格:

器件编号 封装 电压 (V) Id (A) 最大RDS(on) (mOhms) Qg (nC)

IRFB4615PBF TO220 150 35 39 26

IRFS4615PBF D2PAK 150 35 39 26

IRFSL4615PBF TO262 150 35 39 26

IRFB4620PBF TO220 200 25 72.5 25

IRFS4620PBF D2PAK 200 25 72.5 25

IRFSL4620PBF TO262 200 25 72.5 25

现在这些器件已向市场供应。欲了解更多数据,请访问IR网站www.irf.com。




关键词: 电荷    

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