这些小活动你都参加了吗?快来围观一下吧!>>
电子产品世界 » 论坛首页 » 综合技术 » 电源与模拟 » MOS场效应管被静电击穿的几个原因

共2条 1/1 1 跳转至

MOS场效应管被静电击穿的几个原因

助工
2014-08-13 15:11:47     打赏

我们在实际电子产品设计调试过程中,经常会有这样的疑问,MOS场效应管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS场效应管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET场效应管静电击穿又是怎么回事?


  其实MOS场效应管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。


  静电击穿有两种方式;


  一是电压型,即栅极的薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,或者使栅极和漏极间短路;


  二是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。


  现在的mos场效应管没有那么容易被击穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二极管保护。vmos栅极电容大,感应不出高压。若是碰上3DO型的mos管冬天不带防静电环试试,基本上摸一个挂一个。


  与干燥的北方不同,南方潮湿不易产生静电。还有就是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。但用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。至少使管脚可焊性变差。


高工
2014-08-13 15:19:12     打赏
2楼

大封装的坏的基本上是第二点原因。

小封装坏的多数是第一点原因。


共2条 1/1 1 跳转至

回复

匿名不能发帖!请先 [ 登陆 注册 ]