EEPROM(Electrically Erasable PRogrammable Read Only Memory)叫做可电改写只读存储器,可用电的方法写入和清除其内容,其编程电压和清除电压均与计算机CPU的工作电压相同,无须另加电压。
STC单片机利用IAP技术实现了EEPROM功能,相比外置存储芯片而言,在操作上比较方便。
涉及STC单片机EEPROM操作的特殊功能寄存器有6个,地址分别是E2H、E3H、E4H、E5H、E6H和E7H。在STC单片机使用手册中,作者分别将它们定义为:一、IAP_DATA (E2H)
二、IAP_ADDRH (E3H)
三、IAP_ADDRL (E4H)
四、IAP_CMD (E5H)
五、IAP_TRIG (E6H)
六、IAP_CONTR (E7H)
我自己对这些单元分别定义为DAT ADDRH ADDRL CMD TRIG CONTR。
一、DAT(E2H) 从EEPROM中读取到的数据首先进入这里。要把数据写入EEPROM中,也要把数据放到这个单元中。也就是说,这个单元起到了中转站的作用,写入和读出都要通过这个单元。
二、ADDRH、ADDRL分别是EEPROM地址单元高8位和低8位。如要把数据存储到1000H单元中,那么在程序中,ADDRH的数值为10H,ADDRL的数值为00H。
三、CMD表示操作类型。数值为1是读,数值为2是写,数值为3是擦除。简单点说,就是“1读2写3擦除”。
四、CONTR寄存器,说明书上作了好多功能表述,但对于一般使用者来说,寄存器的前5位可以不作过多了解,只要掌握后3位意义就可以了。一般理解为,选择好后3位的数值,为的是确保在不同数值晶振下正确读写擦除EEPROM。考虑到TRIG这个寄存器的要求,一般使用时,可将前5位设置为10000,后3位根据不同晶振频率来确定(这个见使用手册)。
五、TRIG这个寄存器,看了好长时间手册才了解它的一般使用,对这个寄存器理解应当放到最后。说明书是这样写的:为isp/iap操作时的命令模式寄存器。在ispen(isp_contr.7)=1时,对isp_trig先写入46h,再写入b9h,isp/iap命令才会生效。
其实也可以这样理解,当选择好EEPROM地址单元,选择好操作类型,以及在写入状态时准备好写入数据后,先向该寄存器送入46H数据,之后再向该寄存器送入B9H数值。EEPROM的读、写、擦除就完成了。
以上是本人对STC单片机的EEPROM使用的一些心得,若有不当或错误之处,请高手多多批评指正。
本人常用的STC_EEPROM基本操作程序
dat equ 0e2h
drh equ 0e3h
drl equ 0e4h
cmd equ 0e5h
trig equ 0e6h
contr equ 0e7h
;---------读取1个字节-------------------
read: mov drh,#10h ;设定存储单元地址高四位 这里设1000h,也可选用其他单元
mov drl,#00h ;设定存储单元地址低四位
mov cmd,#01h ;设定读操作
mov contr,#84h ;设定操作时间 可组成子程序,进行调用
mov trig,#046h ;准备触发
mov trig,#0b9h ;触发
mov r0,dat ;读数据。 r0为读出的数据,也可以选用其他单元
nop
nop
ret
;---------写入1个字节-------------------
write: mov dat,r0 ;写数据。 r0中为准备写入的数据,也可以选用其他单元
mov drh,#10h ;设定存储单元地址高四位 这里设1000h,也可选用其他单元
mov drl,#00h ;设定存储单元地址低四位
mov cmd,#02h ;设定写操作
mov contr,#84h ;设定操作时间 可组成子程序,进行调用
mov trig,#046h ;准备触发
mov trig,#0b9h ;触发
nop
nop
ret
;---------擦除1个字节-------------------
clear: mov drh,#10h ;设定存储单元地址高四位 这里设1000h,也可选用其他单元 可组成子程序,进行调用
mov drl,#00h ;设定存储单元地址低四位
mov cmd,#03h ;设定擦除操作
mov contr,#84h ;设定操作时间 可组成子程序,进行调用
mov trig,#046h ;准备触发
mov trig,#0b9h ;触发
nop
nop
ret
;=========关闭EEPROM====================
off: mov drh,#00h
mov drl,#00h
mov cmd,#00h
mov contr,#00h
mov trig,#00h
ret