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1、集电极（C 极）处于反偏状态，为什么还有电流通过？
答：PN 结正偏情况下是利于“多数载流子”通过，而反偏则利于“少数载流子”
通过，对于基极（B 极）来说，它的少数载流子是电子，而当基极电压高于发射
极，有电流注入时，发射结正偏导通，发射区向基区扩散大量电子。这些电子在
内电场的作用下漂移到C 极。从三极管外部看来，电流能通过反偏的集电结，其
实， 要分清楚“多子”、“少子”的区别。P 型半导体的多子是空穴，少子是
自由电子；N 型半导体的多子是自由电子，少子是空穴。
2、为什么集电极要加上很高的电压？
答：电压高能使集电结的内电场更强，作用在少子上的力更大，有利于少子、尤
其是从基区漂移到发射区的电子；同时阻止多子的通过。
3、为什么基区要做得很薄？
答：因为少子越贴近内电场，就越容易受其作用漂移到PN 结对面。如果做得太
厚，那进入基区的电子就不能很好地受内电场的作用，不能很好地漂移到集电区，
所以要从生产工艺上把它做得很薄，厚度一般在几个微米至几十个微米。
4、为什么发射区的掺杂浓度最高？
答：发射区掺杂浓度高才有更多的多数载流子，P 型半导体中的多子是空穴，而
NPN 型半导体的发射区是N 型半导体，掺杂浓度高使其有更多的自由电子，这样
在基极和发射极的电压差（基极高于发射极）作用下，才有更多电子扩散到基
区。假设发射区的掺杂浓度和基区浓度相同，那么扩散到基区的电子绝大多数会
跟基区的空穴进行复合掉，电流的放大能力下降。
5、放大倍数β如何确定？
答：在生产过程中，控制基区的厚度和各个区的掺杂浓度，就能生产出不同放大
倍数β的三极管。
6、基极（B 极）小电流如何控制集电极大电流？
答：当基极没有电流的时候，集电结几乎没有电子通过；基极电流慢慢增大时，

集电结在正偏电压作用下，多子逐渐激烈地向基区扩散。由于基区掺杂浓度低，
扩散到集电区的多子少，需要外部注入的电流小。发射区掺杂浓度高，扩散到
基区的多子多，需要外部注入的电流大。放大倍数跟基区厚度、发射区掺杂浓度
成正比。发射极跟基极复合的电子非常少，主要被集电结的内电场拉到集电区，
集电极电流近似于发射极电流。外部注入基极电流越大，发射区到基区的电子扩
散就越激烈，漂移到集电区的电子也越多。在三极管的外部看来，发射极电流
和集电极电流也急剧增大。
7、用两个二极管可否焊接成一个三极管？
答：虽然两个二极管能结成一个NPN 或PNP 型的三极管，但其内部硅晶体的掺杂
浓度不同于三极管，再者“基极”没能做得很薄，漂移过“集电结”的少子相当
少（不是没有），因此发射极中的载流子几乎不能到达集电结。